Niraula Madan (ニラウラ マダン)

NIRAULA Madan

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

准教授

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://yasuda.web.nitech.ac.jp/

研究分野・キーワード

電気材料 電子物性一般 放射線検出器 エピタキシャル成長

出身大学

  •  
    -
    1993年03月

    バングラデシュ工科大学   工学部   電気電子工学科, 電気電子工学部   卒業

  •  
    -
    1987年03月

    トゥリブアン大学、トゥリチャントラカレッジ   理学部   Biology Major   卒業

出身大学院

  •  
    -
    2000年03月

    静岡大学  電子科学研究科  電子応用工学専攻博士課程  修了

  •  
    -
    1997年03月

    静岡大学  工学研究科  電子工学専攻修士課程  修了

取得学位

  • 静岡大学 -  工学博士

学外略歴

  • 2010年08月
    -
    2010年09月

      ブルックヘブン国立研究所 (米国)   研究員

  • 2000年04月
    -
    2002年03月

      日本学術振興会外国人特別研究員(受入機関:静岡大学電子工学研究所)   日本学術振興会特別研究員

専門分野(科研費分類)

  • 応用物理学一般

  • 電子・電気材料工学

  • 応用物性

 

研究経歴

  • テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

    機関内共同研究  

    研究期間:  2003年04月  -  現在

  • 医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    機関内共同研究  

    研究期間:  2002年04月  -  現在

  • 半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

    機関内共同研究  

    研究期間:  2002年04月  -  現在

学位論文

  • Development of High-Energy Resolution CdTe Room-Temperature Nuclear Radiation Detectors

    Madan Niraula

      2000年03月(年月日)  [査読有り]

    学位論文(博士)   単著

論文

  • Characterization of (211) and (100) CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor- Phase Epitaxy

    K. Yasuda, M. Niraula, M. Kojima, S. Kitagawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, and Y. Agata

    J. Electronic Materials ( Springer )  46 ( 11 ) 6704 - 6708   2017年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas

    K. Yasuda, M. Niraula, N. Araki, M. Miyata, S. Kitagawa, M. Kojima, J. Ozawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, and Y. Agata

    Journal of Electronic Materials ( Springer )  46 ( 9 ) 5400 - 5404   2017年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Improving the Performances of CdTe Gamma Ray Detectors by H2/Ar ECR Plasma Processing

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Kitagawa, M. Kojima, and Y. Agata

    IEEE Electron Device Letter   37 ( 8 ) 1059 - 1062   2016年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Surface Processing of CdTe Detectors Using Hydrogen Bromide-Based Etching Solution

    M. Niraula, K. Yasuda, N. Takai, M. Matsumoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, Y. Ito, S. Sugimoto, S. Kouno, D. Yamazaki, and Y. Agata

    IEEE Electron Device Letter   36 ( 8 ) 856 - 858   2015年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates

    M.Niraula, K. Yasuda, H. Yamashita, Y. Wajima, M. Matsumoto, N. Takai, Y. Tsukamoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, Y. Agata

    IEEE Trans. Nucl. SCi.   61 ( 5 ) 2555 - 2558   2014年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of Nuclear Radiation Detectors by Use of Thick Single-Crystal CdTe Layers Grown on (211) p+-Si Substrates by MOVPE

    K. Yasuda, M. Niraula, Y. Wajima, H. Yamashita, N. Takai, Y. Suzuki, M. Matsumoto, Yudai. Tsukamoto, Yuki Tsukamoto, and Y. Agata

    Journal of Electronic Materials   43 ( 8 ) 2860 - 2863   2014年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for x-ray, gamma ray spectroscopic detector development

    Madan Niraula, Kazuhito Yasuda, Hayate Yamashita, Yuto Wajima, Yudai Tsukamoto, Masahiko Matsumoto, Yuta Suzuki, Noriaki Takai, Yuki Tsukamoto, and Yasunori Agata,

    Phys. Status Solidi c   11 ( 7-8 ) 1333 - 1336   2014年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Postgrowth Annealing of CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

    K. Yasuda, M. Niraula, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, H. Yamashita, Y. Wajima, and Y. Agata,

    Journal of Electronic Materials   42 ( 11 ) 3125 - 3128   2013年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Charge transport properties of p-CdTe/n-CdTe/n+-Si diode-type nuclear radiation detectors based on metalorganic vapor-phase epitaxy-grown epilayers

    M. Niraula, K. Yasuda, Y. Wajima, H. Yamashita, Y. Tsukamoto, Y. Suzuki, M. Matsumoto, N. Takai, Y. Tsukamoto, and Y. Agata

    Journal of Applied Physics   114 ( 16 ) 164510-1 - 164510-5   2013年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • MOVPE Growth of Thick Single Crystal CdZnTe Epitaxial Layers on Si Substrates for Nuclear Radiation Detector Development

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, Y. Wajima, H. Yamashita, and Y. Agata

    IEEE Transactions on Nuclear Science   60 ( 4 ) 2859 - 2863   2013年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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総説・解説記事

  • 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発

    安田 和人, Niraula Madan

    光アライアンス ( 日本工業出版(株) )  23 ( 6 ) 33 - 36   2012年06月

    総説・解説(商業誌)   共著

研究発表

  • Development of Fine-Pixel X-ray Imaging Arrays using CdTe/n+-Si Epitaxial Layers

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata  [招待有り]

    IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  (Atlanta, USA)  2017年10月  -  2017年10月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates

    M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa , T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, and Y. Agata

    IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  (Atlanta, USA)  2017年10月  -  2017年10月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • MOVPE 法による(211)Si 上の CdTe 成長層の方位関係の検討

    坪田眞太郎、小島將弘、北川翔三、小澤潤也、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人

    2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会  ( パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  応用物理学会

  • MOVPE 法による(211)Si 基板上の CdTe 層を用いた大面積放射線検出器アレイの作製

    小澤潤也、 北川翔三、小島將弘、坪田眞太郎、山口大貴、安田和人、ニラウラ・マダン、安形保則

    2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会   (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  応用物理学会

  • ECR プラズマによる CdTe 結晶表面処理の検討

    山口大貴、小島將弘、 北川翔三、小澤潤也、坪田眞太郎、 安形保則、ニラウラ マダン、 安田和人

    2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  応用物理学会

  • Surface Processing of CdTe Crystals in H2/Ar Electron Cyclotron Resonance Plasma

    M. Niraula, K. Yasuda, 他

    IEEE- The 23rd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)  (Strasbourg, France)  2016年10月  -  2016年11月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • Recent Progress in CdTe/n+-Si Epitaxial Layer Based Heterojunction Diode-Type Gamma Detectors

    M. Niraula, K. Yasuda, 他  [招待有り]

    IEEE- The 23rd International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD)  (Strasbourg, France)  2016年10月  -  2016年11月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas

    K. Yasuda, M. Niraula,他

    The 2016 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials  (Baltimore, USA)  2016年10月  -  2016年10月  The American Physical Society

  • Characterization of (211) and (100) CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

    K. Yasuda, M. Niraula,他

    The 2016 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials  (Baltimore, USA)  2016年10月  -  2016年10月  The American Physical Society

  • MOVPE法による(211) Si基板上のCdTe層のフォトルミネッセンス特性

    小島 將弘, 安田 和人, ニラウラ マダン, 他

    2016年 秋季 第77回応用物理学会学秋季学術講演会  (朱鷺メッセ(新潟コンベンションセンター))  2016年09月  -  2016年09月  応用物理学会

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工業所有権

  • 半導体放射線検出器

    特願 特願2017-107264 

    安田和人,ニラウラマダン

  • 放射線検出器の製造方法

    特願 2011-109374 

    安田和人,ニラウラマダン

  • Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same

    特願 10/580,833  特許 US 7,355,185

    Kazuhito Yasuda, Madan Niraula

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    YASUDA, Kazuhito; NIRAULA, Madan

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    YASUDA, Kazuhito ; NIRAULA, Madan

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    安田和人,ニラウラマダン

  • 半導体放射線検出器の製造方法

    特願 2007-276652  特開 第4107616号 

    安田 和人、ニラウラ マダン

  • 半導体放射線検出器

    特願 2003-397978  特開 第4131498号 

    安田 和人、ニラウラ マダン

学術関係受賞

  • 第60回 電気科学技術奨励賞

    2012年11月27日   公益財団法人 電気科学技術奨励会  

    受賞者:  ニラウラ マダン, 安田 和人

  • 2004 年東海学術奨励会賞

    2004年04月   -  

    受賞者:  -

  • 第12回 応用物理学会講演奨励賞

    2002年04月   -  

    受賞者:  -

科研費(文科省・学振)獲得実績

  • 半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

    基盤研究(B)

    研究期間:  2008年04月  -  2011年03月  代表者:  ニラウラ マダン

  • テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

    若手研究(B)

    研究期間:  2003年04月  -  2006年03月  代表者:  ニラウラ マダン

その他競争的資金獲得実績

  • CdTe成長層を用いた医療用高感度大面積X線画像検出器アレイの開発

    提供機関:  民間財団等  財)中谷医工計測技術振興財団 平成28年度開発研究助成

    研究期間:  2017年04月  -  2018年03月  代表者:  ニラウラ マダン

  • 医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    提供機関:  経済産業省  産業技術研究助成(NEDO)

    研究期間:  2003年10月  -  2006年09月  代表者:  ニラウラ マダン

 
 

学会・委員会等活動

  • 2016年12月
    -
    現在

    IEEE   国際会議実行委員

  • 2016年02月
    -
    2018年01月

    応用物理学会   応用物理学会代議員

  • 2015年09月
    -
    現在

    SPIE   国際会議実行委員

  • 2008年04月
    -
    現在

    応用物理学会   審査員