Niraula Madan (ニラウラ マダン)

NIRAULA Madan

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所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

教授

メールアドレス

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ホームページ

http://yasuda.web.nitech.ac.jp/

研究分野・キーワード

電気材料 電子物性一般 放射線検出器 エピタキシャル成長

出身大学

  •  
    -
    1993年03月

    バングラデシュ工科大学   工学部   電気電子工学科, 電気電子工学部   卒業

  •  
    -
    1987年03月

    トゥリブアン大学、トゥリチャントラカレッジ   理学部   Biology Major   卒業

出身大学院

  •  
    -
    2000年03月

    静岡大学  電子科学研究科  電子応用工学専攻博士課程  修了

  •  
    -
    1997年03月

    静岡大学  工学研究科  電子工学専攻修士課程  修了

取得学位

  • 静岡大学 -  工学博士

学外略歴

  • 2010年08月
    -
    2010年09月

      ブルックヘブン国立研究所 (米国)   研究員

  • 2000年04月
    -
    2002年03月

      日本学術振興会外国人特別研究員(受入機関:静岡大学電子工学研究所)   日本学術振興会特別研究員

専門分野(科研費分類)

  • 電子・電気材料工学

  • 応用物理学一般

  • 応用物性

 

研究経歴

  • テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

    機関内共同研究  

    研究期間:  2003年04月  -  現在

  • 医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    機関内共同研究  

    研究期間:  2002年04月  -  現在

  • 半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

    機関内共同研究  

    研究期間:  2002年04月  -  現在

学位論文

  • Development of High-Energy Resolution CdTe Room-Temperature Nuclear Radiation Detectors

    Madan Niraula

      2000年03月(年月日)  [査読有り]

    学位論文(博士)   単著

論文

  • Characterization of Fine-Pixel X-ray Imaging Detector Array Fabricated by Using Thick Single-Crystal CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, and Y. Agata

    IEEE Trans. Electron Devices ( The IEEE Electron Devices Society )  66 ( 1 ) 518 - 523   2019年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • 電気電子工学と機械工学の双方の知識を有する人材育成のための学生実験の改革

    ニラウラ マダン、平田 晃正、王 建青、 山田 学、 牛島 達夫、早川 伸哉

    平成30年度工学教育研究講演会講演論文集、第66回年次大会 ( 公益社団法人 日本工学教育協会 )  - ( - ) 294 - 295   2018年08月

    研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   共著

  • Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates

    M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa, T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, and Y. Agata

    IEEE Transactions on Nuclear Science ( The IEEE Nuclear and Plasma Science Society )  65 ( 8 ) 2325 - 2328   2018年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of Large-Area CdTe/n+-Si Epitaxial Layer Based Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detector Arrays

    M. Niraula, K. Yasuda, M. Kojima, S. Kitagawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, Y. Agata

    IEEE Transactions on Nuclear Science ( IEEE Nuclear and Plasma Science Society )  65 ( 4 ) 1066 - 1069   2018年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Characterization of (211) and (100) CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor- Phase Epitaxy

    K. Yasuda, M. Niraula, M. Kojima, S. Kitagawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, and Y. Agata

    J. Electronic Materials ( Springer )  46 ( 11 ) 6704 - 6708   2017年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas

    K. Yasuda, M. Niraula, N. Araki, M. Miyata, S. Kitagawa, M. Kojima, J. Ozawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, and Y. Agata

    Journal of Electronic Materials ( Springer )  46 ( 9 ) 5400 - 5404   2017年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Improving the Performances of CdTe Gamma Ray Detectors by H2/Ar ECR Plasma Processing

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Kitagawa, M. Kojima, and Y. Agata

    IEEE Electron Device Letter   37 ( 8 ) 1059 - 1062   2016年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Surface Processing of CdTe Detectors Using Hydrogen Bromide-Based Etching Solution

    M. Niraula, K. Yasuda, N. Takai, M. Matsumoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, Y. Ito, S. Sugimoto, S. Kouno, D. Yamazaki, and Y. Agata

    IEEE Electron Device Letter   36 ( 8 ) 856 - 858   2015年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates

    M.Niraula, K. Yasuda, H. Yamashita, Y. Wajima, M. Matsumoto, N. Takai, Y. Tsukamoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, Y. Agata

    IEEE Trans. Nucl. SCi.   61 ( 5 ) 2555 - 2558   2014年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Development of Nuclear Radiation Detectors by Use of Thick Single-Crystal CdTe Layers Grown on (211) p+-Si Substrates by MOVPE

    K. Yasuda, M. Niraula, Y. Wajima, H. Yamashita, N. Takai, Y. Suzuki, M. Matsumoto, Yudai. Tsukamoto, Yuki Tsukamoto, and Y. Agata

    Journal of Electronic Materials   43 ( 8 ) 2860 - 2863   2014年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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総説・解説記事

  • 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発

    安田 和人, Niraula Madan

    光アライアンス ( 日本工業出版(株) )  23 ( 6 ) 33 - 36   2012年06月

    総説・解説(商業誌)   共著

研究発表

  • MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [II]

    東良 悠喜、森 拓郎、田村 怜也、鳥居 稜、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人

    2019年 第66回応用物理学会 春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月  公益財団法人 応用物理学会

  • MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [Ⅰ]

    鳥居 稜、森 拓郎、田村 怜也、東良 悠喜、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人

    2019年 第66回応用物理学会 春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月  公益財団法人 応用物理学会

  • MOVPE Growth and Characterization of Iodine-Doped n-CdTe Layers on (211)Si Substrates Grown at High Substrate Temperatures

    M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, B. S. Chaudhari, R. Tamura, Y. Higashira, R. Torii, and Y. Agata

    IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  (Sydney, Australia)  2018年11月  -  2018年11月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • Advances in the Crystal Growth and Device Fabrication Techniques of Thick CdTe/Si Epitaxial Layers based Nuclear Radiation Detectors

    M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, and Y. Agata  [招待有り]

    IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,  (Sydney, Australia)  2018年11月  -  2018年11月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層の膜厚均一化に関する検討

    田村怜也、森拓郎、鳥居稜、東良悠喜、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人

    2018 第79回応用物理学会学秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月  公益社団法人 応用物理学会

  • Development of X-ray Imaging Sensors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on Si Substrates

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, and Y. Agata

    2018年第79回応用物理学会学秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月  公益社団法人 応用物理学会

  • 電気電子工学と機械工学の双方の知識を有する人材育成のための学生実験の改革

    ニラウラ マダン、平田 晃正、王 建青、 山田 学、 牛島 達、早川 伸哉

    平成30年度工学教育研究講演会、第66回年次大会   (名古屋工業大学)  2018年08月  -  2018年08月  公益社団法人日本工学教育協会/東海工学教育協会

  • MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のアニール処理の検討

    森拓郎、小澤潤也、坪田眞太郎、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会  (早稲田大学、西早稲田キャンパス)  2018年03月  -  2018年03月  応用物理学会

  • Development of Fine-Pixel X-ray Imaging Arrays using CdTe/n+-Si Epitaxial Layers

    M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata  [招待有り]

    IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  (Atlanta, USA)  2017年10月  -  2017年10月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

  • Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates

    M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa , T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, and Y. Agata

    IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors  (Atlanta, USA)  2017年10月  -  2017年10月  IEEE Nuclear and Plasma Science Society

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工業所有権

  • 半導体放射線検出器

    特願 特願2017-107264 

    安田和人,ニラウラマダン

  • 放射線検出器の製造方法

    特願 2011-109374 

    安田和人,ニラウラマダン

  • Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same

    特願 10/580,833  特許 US 7,355,185

    Kazuhito Yasuda, Madan Niraula

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    安田和人,ニラウラマダン

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    YASUDA, Kazuhito; NIRAULA, Madan

  • Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

    特願 04819480.7  特許 1691422

    YASUDA, Kazuhito ; NIRAULA, Madan

  • 半導体放射線検出器の製造方法

    特願 2007-276652  特開 第4107616号 

    安田 和人、ニラウラ マダン

  • 半導体放射線検出器

    特願 2003-397978  特開 第4131498号 

    安田 和人、ニラウラ マダン

学術関係受賞

  • 第60回 電気科学技術奨励賞

    2012年11月27日   公益財団法人 電気科学技術奨励会  

    受賞者:  ニラウラ マダン, 安田 和人

  • 2004 年東海学術奨励会賞

    2004年04月   財団法人東海学術奨励会   CdTe 厚膜を用いた医療用高性能大面積放射線画像検出器の開発  

    受賞者:  ニラウラ マダン

  • 第12回 応用物理学会講演奨励賞

    2002年04月   公益社団法人 応用物理学会   低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製  

    受賞者:  中村篤志、ニラウラ マダン、青木徹、畑中義式

科研費(文科省・学振)獲得実績

  • 半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

    基盤研究(B)

    研究期間:  2008年04月  -  2011年03月  代表者:  ニラウラ マダン

  • テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

    若手研究(B)

    研究期間:  2003年04月  -  2006年03月  代表者:  ニラウラ マダン

その他競争的資金獲得実績

  • CdTe成長層を用いた医療用高感度大面積X線画像検出器アレイの開発

    提供機関:  民間財団等  財)中谷医工計測技術振興財団 平成28年度開発研究助成

    研究期間:  2017年04月  -  2018年03月  代表者:  ニラウラ マダン

  • 医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

    提供機関:  経済産業省  産業技術研究助成(NEDO)

    研究期間:  2003年10月  -  2006年09月  代表者:  ニラウラ マダン

 
 

学会・委員会等活動

  • 2016年12月
    -
    現在

    IEEE   国際会議実行委員

  • 2016年02月
    -
    2018年01月

    応用物理学会   応用物理学会代議員

  • 2015年09月
    -
    現在

    SPIE   国際会議実行委員

  • 2008年04月
    -
    現在

    応用物理学会   審査員