江川 孝志 (エガワ タカシ)

EGAWA Takashi

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

出身大学

  •  
    -
    1980年03月

    名古屋工業大学   工学部   電子工学   卒業

出身大学院

  •  
    -
    1991年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  電気情報工学博士課程  修了

取得学位

  • 名古屋工業大学 -  工学修士

  • 名古屋工業大学 -  工学博士

学外略歴

  • 1982年04月
    -
    1988年03月

      沖電気工業株式会社半導体技術研究所   研究員

所属学会・委員会

  • 2015年10月
    -
    2018年03月

    名古屋大学未来材料・システム研究所

  • 2008年04月
    -
    2012年03月

    文部科学省科学技術政策研究所

  • 1994年07月
    -
    継続中

    レーザー学会

専門分野(科研費分類)

  • 電子デバイス・電子機器

 

研究経歴

  • シリコン基板上へテロエピタシキャシャル成長及びデバイスへの応用

    国内共同研究  

    研究期間:  1991年04月  -  現在

  • 窒化物半導体を用いた光電子素子

    国内共同研究  

    研究期間:  1991年04月  -  現在

学位論文

  • Heteroepitaxial Growth of GaAs on Si by MOCVD and Its Application to Optoelectronic Devices

    Takashi Egawa

      1991年03月(年月日)  [査読有り]

    学位論文(博士)   単著

論文

  • Observation of reaction between a-type dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice after dislocation propagation

    Y. Sugawara, Y. Ishikawa, A. Watanabe, M. Miyoshi and T. Egawa

    J. Crystal Growth     2016年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Novel fully vertical GaN p-n diode on Si substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition

    S. Mase, Y. Urayama, T. Hamada, J. J. Freedsman and T. Egawa

    Appl. Phys. Express   9   111005-1 - 111005-4   2016年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Enhanced Emission Efficiency of Deep Ultraviolet Light-Emitting AlGaN Multiple Quantum Wells Grown on an N-AlGaN Underlaying Layer

    L. Li, Y. Miyachi, M. Miyoshi and T. Egawa

    IEEE Photonics Journal   8 ( 5 ) 1601710   2016年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Modeling of the wafer bow in GaN-on-Si epiwafers employing GaN/AlN multilayer buffer structures

    M. Miyoshi, A. Watanabe and T. Egawa

    Semicond. Sci. Technol.   31 ( 10 ) 105016-1 - 105016-7   2016年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Device characteristics and performance estimation of nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors

    M. Miyoshi, T. Tsutsumi, G. Nishino, Y. Miyachi, M. Okada and T. Egawa

    J. Vac. Sci. Technol. B   34 ( 5 ) 050602-1 - 050602-4   2016年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Improved performance of InGaN/GaN multilayer solar cells with an atomic-layer-deposited Al2O3 passivation film

    M. Miyoshi, T. Kabata, T. Tsutsumi, T. Mori, M. Kato, T. Egawa

    Electronics Letters   52 ( 14 ) 1246 - 1248   2016年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Analysis of reaction between c+a and –c+a dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice by transmission electron microscopy

    Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa

    AIP Advances   6 ( 4 ) 045020-1 - 045020-7   2016年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Characterization of dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) with AlGaN/AlN strained layer superlattices

    Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   55   05FB08-1 - 05FB08-6   2016年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Influence of barrier height and p-cladding layer on electroluminescent performance of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes

    S. Tan, T. Egawa, X. D. Luo, L. Sun, Y. H. Zhu and J. C. Zhang

    J. Phys. D: Appl. Phys.   49   125102-1 - 125102-5   2016年02月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Thermal stability of an InAlN/GaN heterostructure grown on silicon by metal-organic chemical vapor deposition

    Arata Watanabe, Joseph J. Freedsman, Yuya Urayama, Dennis Christy and Takashi Egawa

    J. Appl. Phys   118   235705-1 - 235705-6   2015年12月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   単著

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著書

  • パワーエレクトロニクスの新展開(普及版)

    大橋弘道、江川孝志 他 (担当: 分担執筆 )

    (株)シーエムシ―出版  2015年08月 ISBN: 978-4-7813-1029-9

  • 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開

    佐藤克己、江川孝志 他 (担当: 分担執筆 )

    (株)シーエムシ―出版  2015年06月 ISBN: 978-4-7813-1076-3

  • 2015パワーデバイス技術大全

    江川孝志 他 (担当: 共著 )

    株式会社電子ジャーナル  2014年07月

  • GaNパワー半導体を活用した研究開発テーマの発掘

    江川孝志 (担当: 共著 )

    技術情報協会  2013年07月

  • GaNパワーデバイスの技術展開

    江川孝志他 (担当: 共著 )

    サイエンス&テクノロジー㈱  2012年04月 ISBN: 978-4-86428-044-0

  • 電子デバイス

    - (担当: 共著 )

    オーム社  1997年10月

  • Electronic Devices

    - (担当: 単著 )

    Ohmsha Ltd.  1997年04月

  • Ultrafast and Ultra-parallel Optoelectronics

    - (担当: 共著 )

    Ohmsha Ltd.  1995年04月

総説・解説記事

  • MOCVD法を用いたSi基板上GaN系パワーデバイス

    江川孝志

    Magnetics Jpn.   11 ( 5 ) 260 - 263   2016年11月  [査読有り]  [依頼有り]

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • Si基板上AlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイス

    江川孝志

    セラミックス   51 ( 2 ) 98 - 100   2016年02月  [査読有り]  [依頼有り]

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • ノーマリオフGaNトランジスタのパワーエレクトロニクス応用

    江川孝志

    エネルギーデバイス   2 ( 6 ) 62 - 64   2015年08月  [査読有り]  [依頼有り]

    総説・解説(商業誌)   単著

  • GaN半導体の研究開発の動向と今後の展開

    江川孝志

    電気評論 ( ㈱電気評論社 )    34 - 38   2013年10月

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用

    江川孝志

    応用物理学会誌 ( 応用物理学会 )  81 ( 6 ) 485 - 488   2012年06月

    総説・解説(国際会議プロシーディングズ)   単著

研究発表

  • DC-AC inverter with heterodyne technique and GaN power device

    H. Jonokuchi, T. Egawa, M. Iwasaki and T. Kosaka

    IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON POWER ELECTRONICS,DRIVES AND ENERGY SYSTEMS (PEDES2016)  2016年12月  -  2016年12月 

  • Large Surface Potential Fluctuation at ALD-Al2O3/GaN MOS Interfaces

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa and M. Shimizu

    47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2016)  2016年12月  -  2016年12月 

  • Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 and HfO2 fabricated by atomic layer deposition

    T. Kubo and T. Egawa

    47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2016)  2016年12月  -  2016年12月 

  • Progress in device and epitaxial growth of GaN-on-Si power device

    T. Egawa  [招待有り]

    International Technology Transfer Convention & International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (IFWS 2016)  2016年11月  -  2016年11月 

  • Distortion in Difference Frequency Under Two-Tone Signal Input Evaluated with Volterra Series Analysis

    K. Tamesue, T. Egawa and A. Wakejima

    38th IEEE COMPOUND SEMICONDUCTOR IC (CSIC) SYMPOSIUM  2016年10月  -  2016年10月 

  • An AlGaN/GaN Field Effect Diode with a High Turn-On Votage

    N. Kato, T. Nagai, A. Wakejima Y. Osada, R. Kamiyama, K. Itou and T. Egawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)  2016年10月  -  2016年10月 

  • Impact of crystal quality of AlN nucleation layer on the vertical direction breakdown voltage of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures

    Yuya Yamaoka, Akinori Ubukata, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto and Takashi Egawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)  2016年10月  -  2016年10月 

  • Analysis of Carrier Trapping and Emission in AlGaN/GaN HEMT with Bias-Controllable Filed Plate

    S. Mase, A. Wakejima, and T. Egawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)  2016年10月  -  2016年10月 

  • Heteroepitaxial Growth of GaN-on-Si and Power Device Applications

    T. Egawa  [招待有り]

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)  2016年10月  -  2016年10月 

  • AlInN/AlGaN/Si metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect-transistor with normally-off operation and high breakdown voltage

    Joseph .J. Freedsman, Makato Miyoshi and Takashi Egawa  [招待有り]

    2016 E-MRS Fall Meeting  2016年09月  -  2016年09月 

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工業所有権

  • III族窒化物積層基板

    特願 特願2009-252982  特許 特許第5334057号

    江川孝志、坂本 陵、伊藤統夫

  • 半導体装置およびその製造方法

    特願 2008-178786  特許 特許第5581471号

    山本信幸、杉本重幸、江川孝志

  • 半導体素子

    特願 特願2006-227898  特許 特許第5415668号

    江川孝志、三好実人、倉岡義孝

その他研究活動

  • 超高周波用窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの開発研究

    2001年04月  -  現在

  • 電子デバイス用GaN系化合物半導体材料の研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 有機金属気相成長法を用いたシリコン基板上の高輝度窒化ガリウム系発光ダイオードの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 窒化ガリウム系半導体を用いた青・緑・赤色発光ダイオードの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 高周波・電力用GaN系HEMTのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 大口径Si基板上の超高周波AlGaN/GaN HEMTの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • InAlGaN/GaN ヘテロ構造の研究

    2001年04月  -  現在

  • AlGaN/GaN HEMTのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究

    2001年04月  -  現在

  • 有機金属気相成長法を用いた短波長フォトディテクターの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 有機金属気相成長法を用いた通信放送衛星用AlGaN/GaN HEMTの研究開発

    2001年04月  -  2001年04月

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学術関係受賞

  • 第13回産学官連携功労者表彰科学技術政策担当大臣賞

    2015年08月28日   内閣府  

    受賞者:  江川孝志

  • 第38回(平成25年)井上春成賞受賞

    2013年07月17日   井上春成賞委員会  

    受賞者:  江川孝志

  • 日本結晶成長学会賞第17回技術賞

    2010年08月08日   日本結晶成長学会  

    受賞者:  江川孝志、梅野正義

  • 平成22年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞(科学技術振興部門)

    2010年04月13日   文部科学省  

    受賞者:  江川孝志

  • 第20回レーザー研究業績賞「論文賞(解説部門)」

    1996年05月22日   社団法人レーザー学会  

    受賞者:  江川孝志、長谷川義晃、梅野正義、神保孝志

  • 第3回小平記念賞

    1991年06月18日   財団法人小平記念会  

    受賞者:  江川孝志、梅野正義、神保孝志

  • 第47回電気学会電気学術振興賞(進歩賞)

    1991年05月23日   電気学会  

    受賞者:  江川孝志、梅野正義、神保孝志

受託研究受入実績

  • 省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発

    提供機関:   一般受託研究

    研究期間: 2016年01月  -  2016年06月 

職務上の実績に関する事項

  • 2016年01月
    -
    2016年12月

    名古屋工業大学教員評価表彰(優秀賞)受賞

  • 2015年01月
    -
    2015年12月

    名古屋工業大学職員褒賞(最優秀賞)受賞

 
 

学会・委員会等活動

  • 2016年04月
    -
    2017年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2017/IC-PLANTS2017組織委員会委員

  • 2015年10月
    -
    2018年03月

    名古屋大学未来材料・システム研究所   共同利用・共同研究委員会委員

  • 2014年07月
    -
    2016年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2015/IC-PLANTS2015編集委員会委員

  • 2008年04月
    -
    現在

    文部科学省科学技術政策研究所   専門調査委員

社会貢献活動

  • 愛知地域スーパークラスター成果報告会

    2016年11月  -  2016年11月

  • 名工大テクノフェア2016

    2016年11月  -  2016年11月

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    2016年08月  -  2016年08月

  • イノベーション・ジャパン2016

    2016年08月  -  2016年08月

  • 国際ワークショップ「The 7th International Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices」の開催

    2016年04月  -  2016年04月

  • GaN/Si結晶成長及びパワーデバイスへの応用

    2015年11月  -  2015年11月

  • イノベーション・ジャパン2015

    2015年08月  -  2015年08月

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    2015年08月  -  2015年08月

  • 窒化物半導体研究の取り組みについて

    2015年08月  -  2015年08月

  • シリコン基板上GaN系パワーデバイスの最新技術動向

    2015年06月  -  2015年06月