江川 孝志 (エガワ タカシ)

EGAWA Takashi

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

出身大学

  •  
    -
    1980年03月

    名古屋工業大学   工学部   電子工学   卒業

出身大学院

  •  
    -
    1991年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  電気情報工学博士課程  修了

取得学位

  • 名古屋工業大学 -  工学修士

  • 名古屋工業大学 -  工学博士

学外略歴

  • 1982年04月
    -
    1988年03月

      沖電気工業株式会社半導体技術研究所   研究員

所属学会・委員会

  • 2015年10月
    -
    2018年03月

    名古屋大学未来材料・システム研究所

  • 2008年04月
    -
    2012年03月

    文部科学省科学技術政策研究所

  • 1994年07月
    -
    継続中

    レーザー学会

専門分野(科研費分類)

  • 電子デバイス・電子機器

 

研究経歴

  • シリコン基板上へテロエピタシキャシャル成長及びデバイスへの応用

    国内共同研究  

    研究期間:  1991年04月  -  現在

  • 窒化物半導体を用いた光電子素子

    国内共同研究  

    研究期間:  1991年04月  -  現在

学位論文

  • Heteroepitaxial Growth of GaAs on Si by MOCVD and Its Application to Optoelectronic Devices

    Takashi Egawa

      1991年03月(年月日)  [査読有り]

    学位論文(博士)   単著

論文

  • GaN/InGaN gate for E-mode GaN HEMTs on Si

    D. Biswas, T. Tsuboi and T. Egawa

    IEEE EDL     2020年12月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Mass production-ready characteristics of AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistor structures grown on 200-mm-diameter silicon substrates using metal-organic chemical vapor deposition

    K. Ikejiri, Y. Hiroyama, K. Kasahara, C. Hirooka, T. Osada, M. Tanaka, T. Takada and T. Egawa

    Semicond. Sci. Technol.     2020年10月

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Silicon (111) substrates employing multi-stacked strained layer superlattice structures

    P. Dalapati, S. Urata, T. Egawa

    Superlattices and Microstructures   147   106709-1 - 106709-10   2020年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Electrical characterization of Si-doped conductive AlInN films grown nearly lattice-matched to c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

    M. Miyoshi, T. Nakabayashi, M. Yamanaka, T. Egawa and T. Takeuchi

    J. Vac. Sci. Technol. B   38 ( 5 ) 052205-1 - 052205-5   2020年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Current-induced degradation process in (In)AlGaN-based deep-UV light-emitting diode fabricated on AlN/sapphire template

    Pradip Dalapati, KosukeYamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optical Materials   109   110352-1 - 110352-6   2020年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • MOCVD growth of over 150-nm-thick quaternary AlGaInN epitaxial films near alloy compositions lattice-matching to GaN on sapphire and their structural and optical characterization

    M. Miyoshi, H. Harada, T. Egawa and T. Takeuchi

    Physica Status Solidi A     1900597-1 - 1900597-6   2019年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi

    J. Vac. Sci. Technol. B   37 ( 4 ) 041205-1 - 041205-4   2019年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition

    Toshiharu Kubo and Takashi Egawa

    Physica B: Condensed Matter   571   210 - 212   2019年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Effect of In composition on electrical performance of AlInGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs) on Si

    Debaleen Biswas, Hirotaka Fujita, Naoki Torii and Takashi Egawa

    J. Appl. Phys.   125 ( 22 ) 225707-1 - 225707-6   2019年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • A 300 nm thick epitaxial AlInN film with a highly flat surface grown almost perfectly lattice-matched to c-plane free-standing GaN substrate

    M. Miyoshi, M. Yamanaka, T. Egawa and T. Takeuchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   58   SC1006-1 - SC1006-4   2019年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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著書

  • パワーエレクトロニクスの新展開(普及版)

    大橋弘道、江川孝志 他 (担当: 分担執筆 )

    (株)シーエムシ―出版  2015年08月 ISBN: 978-4-7813-1029-9

  • 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開

    佐藤克己、江川孝志 他 (担当: 分担執筆 )

    (株)シーエムシ―出版  2015年06月 ISBN: 978-4-7813-1076-3

  • 2015パワーデバイス技術大全

    江川孝志 他 (担当: 共著 )

    株式会社電子ジャーナル  2014年07月

  • GaNパワー半導体を活用した研究開発テーマの発掘

    江川孝志 (担当: 共著 )

    技術情報協会  2013年07月

  • GaNパワーデバイスの技術展開

    江川孝志他 (担当: 共著 )

    サイエンス&テクノロジー㈱  2012年04月 ISBN: 978-4-86428-044-0

  • 電子デバイス

    - (担当: 共著 )

    オーム社  1997年10月

  • Electronic Devices

    - (担当: 単著 )

    Ohmsha Ltd.  1997年04月

  • Ultrafast and Ultra-parallel Optoelectronics

    - (担当: 共著 )

    Ohmsha Ltd.  1995年04月

総説・解説記事

  • MOCVD法を用いたSi基板上GaN系パワーデバイス

    江川孝志

    Magnetics Jpn.   11 ( 5 ) 260 - 263   2016年11月  [査読有り]  [依頼有り]

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • Si基板上AlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイス

    江川孝志

    セラミックス   51 ( 2 ) 98 - 100   2016年02月  [査読有り]  [依頼有り]

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • ノーマリオフGaNトランジスタのパワーエレクトロニクス応用

    江川孝志

    エネルギーデバイス   2 ( 6 ) 62 - 64   2015年08月  [査読有り]  [依頼有り]

    総説・解説(商業誌)   単著

  • GaN半導体の研究開発の動向と今後の展開

    江川孝志

    電気評論 ( ㈱電気評論社 )    34 - 38   2013年10月

    総説・解説(学術雑誌)   単著

  • Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用

    江川孝志

    応用物理学会誌 ( 応用物理学会 )  81 ( 6 ) 485 - 488   2012年06月

    総説・解説(国際会議プロシーディングズ)   単著

研究発表

  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

    横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

    電子情報通信学会11月研究会  2020年11月  -  2020年11月 

  • 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET

    井上暁喜,原田紘希, 山中瑞樹, 江川孝志, 三好実人

    電子情報通信学会11月研究会  2020年11月  -  2020年11月 

  • 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討

    山本皓介, Pradip Dalapati, 江川孝志, 三好実人

    電子情報通信学会11月研究会  2020年11月  -  2020年11月 

  • エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究

    中林泰希, 江川孝志, 三好実人, 竹内哲也

    電子情報通信学会11月研究会  2020年11月  -  2020年11月 

  • GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

    李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月  -  2020年09月 

  • ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

    横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月  -  2020年09月 

  • GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

    李リヤン、嶋紘平、山中瑞樹、小島一信、江川孝志、竹内哲也、三好実人、秩父重英

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  -  2020年03月 

  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

    横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  -  2020年03月 

  • SLS層によるAlGaN/GaN HEMT構造の転位低減

    浦田峻佑, キムヒョンス, 江川孝志

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  -  2020年03月 

  • コンタクト抵抗を改善したAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価

    三好実人, ChenHeng, 斉藤早紀, 井上暁喜, 江川孝志

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  -  2020年03月 

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工業所有権

  • 半導体装置およびその製造方法

    特願 特願2015-034230  特許 特許第6447231号

    大竹伸幸、星新一、小山和博、江川孝志

  • オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ

    特願 特願2014-256754  特許 特許第6548065号

    分島彰男、江川孝志

  • 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子

    特願 特願2017-202448  特許 特許第6512669号

    江川孝志

  • 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子

    特願 特願2013-156638  特許 特許第6265328号

    江川孝志

  • 紫外線受光素子

    特願 特願2011-243007  特許 特許第6048718号

    分島彰男、江川孝志

  • III族窒化物積層基板

    特願 特願2009-252982  特許 特許第5334057号

    江川孝志、坂本 陵、伊藤統夫

  • 半導体装置およびその製造方法

    特願 2008-178786  特許 特許第5581471号

    山本信幸、杉本重幸、江川孝志

  • 半導体素子

    特願 特願2006-227898  特許 特許第5415668号

    江川孝志、三好実人、倉岡義孝

その他研究活動

  • 超高周波用窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの開発研究

    2001年04月  -  現在

  • 有機金属気相成長法を用いた短波長フォトディテクターの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 電子デバイス用GaN系化合物半導体材料の研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 有機金属気相成長法を用いたシリコン基板上の高輝度窒化ガリウム系発光ダイオードの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 窒化ガリウム系半導体を用いた青・緑・赤色発光ダイオードの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 高周波・電力用GaN系HEMTのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究開発

    2001年04月  -  現在

  • 大口径Si基板上の超高周波AlGaN/GaN HEMTの研究開発

    2001年04月  -  現在

  • InAlGaN/GaN ヘテロ構造の研究

    2001年04月  -  現在

  • AlGaN/GaN HEMTのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究

    2001年04月  -  現在

  • 有機金属気相成長法を用いた通信放送衛星用AlGaN/GaN HEMTの研究開発

    2001年04月  -  2001年04月

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学術関係受賞

  • Best Presentation Award at ISPlasma2017/IC-PLANT2017

    2017年03月   ISPlasma2017/IC-PLANT2017 Organizing Committee   Impacts of Oxidants for ALD Process on Al2O3/GaN Interface Properties  

    受賞者:  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa and M. Shimizu

  • 第13回産学官連携功労者表彰科学技術政策担当大臣賞

    2015年08月28日   内閣府  

    受賞者:  江川孝志

  • 第38回(平成25年)井上春成賞受賞

    2013年07月17日   井上春成賞委員会  

    受賞者:  江川孝志

  • 日本結晶成長学会賞第17回技術賞

    2010年08月08日   日本結晶成長学会  

    受賞者:  江川孝志、梅野正義

  • 平成22年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞(科学技術振興部門)

    2010年04月13日   文部科学省  

    受賞者:  江川孝志

  • 第20回レーザー研究業績賞「論文賞(解説部門)」

    1996年05月22日   社団法人レーザー学会  

    受賞者:  江川孝志、長谷川義晃、梅野正義、神保孝志

  • 第3回小平記念賞

    1991年06月18日   財団法人小平記念会  

    受賞者:  江川孝志、梅野正義、神保孝志

  • 第47回電気学会電気学術振興賞(進歩賞)

    1991年05月23日   電気学会  

    受賞者:  江川孝志、梅野正義、神保孝志

受託研究受入実績

  • 省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発

    提供機関:   一般受託研究

    研究期間: 2016年01月  -  2016年06月 

職務上の実績に関する事項

  • 2016年01月
    -
    2016年12月

    名古屋工業大学教員評価表彰(優秀賞)受賞

  • 2016年01月
    -
    2016年12月

    名古屋工業大学職員褒賞(優秀賞)

  • 2015年01月
    -
    2015年12月

    名古屋工業大学職員褒賞(最優秀賞)受賞

 

教育活動に関する受賞

  • 電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 学生発表奨励賞

    2019年01月   電子情報通信学会  

    受賞者: 古岡啓太, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

    ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果

  • 電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 学生発表奨励賞

    2019年01月   電子情報通信学会  

    受賞者: 細見大樹, 古岡啓太, 陳珩, 斉藤早紀, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人

    歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

 

学会・委員会等活動

  • 2019年04月
    -
    2020年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2020/IC-PLANTS2020組織委員会委員

  • 2018年04月
    -
    2019年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019組織委員会委員

  • 2017年04月
    -
    2018年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2018/IC-PLANTS2018組織委員会委員

  • 2016年04月
    -
    2017年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2017/IC-PLANTS2017組織委員会委員

  • 2015年10月
    -
    2018年03月

    名古屋大学未来材料・システム研究所   共同利用・共同研究委員会委員

  • 2014年07月
    -
    2016年03月

    応用物理学会   ISPlasma 2015/IC-PLANTS2015編集委員会委員

  • 2008年04月
    -
    現在

    文部科学省科学技術政策研究所   専門調査委員

社会貢献活動

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    2019年08月  -  2019年08月

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    2018年08月  -  2018年08月

  • 名工大テクノフェア2017

    2017年11月  -  2017年11月

  • イノベーション・ジャパン2017

    2017年08月  -  2017年09月

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    2017年08月  -  2017年08月

  • 愛知地域スーパークラスター成果報告会

    2016年11月  -  2016年11月

  • 名工大テクノフェア2016

    2016年11月  -  2016年11月

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    2016年08月  -  2016年08月

  • イノベーション・ジャパン2016

    2016年08月  -  2016年08月

  • 国際ワークショップ「The 7th International Joint Workshop on Nitride Semiconductors and Devices」の開催

    2016年04月  -  2016年04月

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