三好　実人 (ミヨシ　マコト)

MIYOSHI Makoto

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類　電気電子分野
電気・機械工学専攻　電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

研究分野・キーワード

-
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出身大学

  • 1986年04月
    -
    1990年03月

    大阪大学   基礎工学部   物性物理工学科   卒業

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出身大学院

  • 1990年04月
    -
    1992年03月

    大阪大学  基礎工学研究科  物理系物性学分野修士課程  修了

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取得学位

  • 名古屋工業大学 -  博士（工学）

  • 大阪大学 -  工学修士

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学外略歴

  • 2011年03月
    -
    2012年01月

      信越半導体株式会社   半導体磯部研究所   主任研究員

  • 1992年04月
    -
    2011年02月

      日本ガイシ株式会社   研究開発本部   主任研究員

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所属学会・委員会

  • 1998年01月
    -
    継続中

    応用物理学会

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専門分野（科研費分類）

  • 電子・電気材料工学

  • 電子デバイス・電子機器

  • 応用物性

  • 結晶工学

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取得資格

  • 防火管理者（甲種）

  • 高圧ガス製造保安責任者（化学機械・冷凍機械）

  • 危険物取扱者（乙種）

  • エックス線作業主任者

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学位論文

  • Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices

    Makoto Miyoshi

      2006年03月（年月日）  [査読有り]

    学位論文（博士）   単著

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論文

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研究発表

  • MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価

    細見 大樹、陳 桁、江川 孝志、三好 実人

    第65回　応用物理学会春季学術講演会  (早稲田大学　西早稲田キャンパス)  2018年03月  -  2018年03月 

  • InGaN MQW太陽電池における光応答波長の広域化に関する研究

    原田 紘希、森 拓磨、Dorjdagva Bilguun、加藤 慎也、三好 実人、江川 孝志

    第65回　応用物理学会春季学術講演会  (早稲田大学　西早稲田キャンパス)  2018年03月  -  2018年03月 

  • GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長

    山中瑞樹、三好実人、江川孝志、竹内哲也

    第65回　応用物理学会春季学術講演会  (早稲田大学　西早稲田キャンパス)  2018年03月  -  2018年03月 

  • ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果

    久保 俊晴, 三好 実人, 江川 孝志

    第65回　応用物理学会春季学術講演会  (早稲田大学　西早稲田キャンパス)  2018年03月  -  2018年03月 

  • サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較

    森拓磨、 太田美希、 原田紘希、加藤慎也、三好実人、江川孝志

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会  (名古屋工業大学)  2017年11月  -  2017年12月 

  • XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価

    久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会  (名古屋工業大学)  2017年11月  -  2017年12月 

  • Device design for avalanche operation of solar-blind AlGaN-based PiN type UV photodiodes

    Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

    IWUMD2017  (Kyushu University)  2017年11月  -  2017年11月 

  • Performance improvements of AlGaN deep ultraviolet light emitter via a 20-nm-thick n-AlGaN underlying layer

    Lei Li, Yuta Miyachi, Tatsuya Tsutsumi, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

    IWUMD2017  (Kyushu University)  2017年11月  -  2017年11月 

  • ヘテロ界面平坦性改善による InAlN/AlGaN HFET 構造の移動度向上

    細見 大樹，宮地 祐太，江川 孝志，三好 実人

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会  (名古屋国際会議場)  2017年11月  -  2017年11月 

  • Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface

    Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

    SSDM2017  (Sendai International Center)  2017年09月  -  2017年09月 

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工業所有権

  • 紫外線発光素子

    特願 2017-141421 

    三好実人、江川孝志

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    特願 2015-212450  特開 2017-084981 

    三好実人、久保俊晴、江川孝志

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2014-192231  特開 2015-043437  特許 6170893

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

    特願 2014-152754  特開 2014-199953  

    杉山智彦、角谷茂明、三好実人、田中光浩

  • 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2014-038629   特開 2014-123767   特許 5671168

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-258021  特開 2014-099623   特許 5671127

    三好実人、角谷茂明、市村幹也、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

    特願 2013-251963   特開 2014-103400  

    角谷茂明、三好実人、市村幹也、杉山智彦、倉岡義孝、田中光浩

  • ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

    特願 2013-245916  特開 2015-102538  

    三好実人

  • 半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2013-0240896  特開 2014-053639 

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-058508  特開 2013-129597 

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

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科研費（文科省・学振）獲得実績

  • 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

    基盤研究(C)

    研究期間：  2016年04月  -  2019年03月  代表者:  三好　実人

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その他競争的資金獲得実績

  • 多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイス関する研究

    提供機関:  半導体理工学研究センター（STARC）  アイデア・スカウト（IS）

    研究期間：  2015年08月  -  2016年07月  代表者:  三好　実人

  • 半導体ハイブリッドMOS電極構造を用いた超高感度FET型ガスセンサの開発

    提供機関:  文部科学省  JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）FSステージ探索タイプ

    研究期間：  2013年08月  -  2014年03月  代表者:  三好　実人

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受託研究受入実績

  • 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」

    提供機関: 名城大学  一般受託研究

    研究期間： 2017年  -  2020年  代表者: 竹内哲也

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