三好　実人 (ミヨシ　マコト)

MIYOSHI Makoto

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類　電気電子分野
電気・機械工学専攻　電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

研究分野・キーワード

-
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出身大学

  • 1986年04月
    -
    1990年03月

    大阪大学   基礎工学部   物性物理工学科   卒業

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出身大学院

  • 1990年04月
    -
    1992年03月

    大阪大学  基礎工学研究科  物理系物性学分野修士課程  修了

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取得学位

  • 名古屋工業大学 -  博士（工学）

  • 大阪大学 -  工学修士

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学外略歴

  • 2011年03月
    -
    2012年01月

      信越半導体株式会社   半導体磯部研究所   主任研究員

  • 1992年04月
    -
    2011年02月

      日本ガイシ株式会社   研究開発本部   主任研究員

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所属学会・委員会

  • 1998年01月
    -
    継続中

    応用物理学会

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専門分野（科研費分類）

  • 結晶工学

  • 電子デバイス・電子機器

  • 電子・電気材料工学

  • 応用物性

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取得資格

  • 防火管理者（甲種）

  • 高圧ガス製造保安責任者（化学機械・冷凍機械）

  • 危険物取扱者（乙種）

  • エックス線作業主任者

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学位論文

  • Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices

    Makoto Miyoshi

      2006年03月（年月日）  [査読有り]

    学位論文（博士）   単著

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論文

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研究発表

  • ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価

    斉藤 早紀、細見 大樹、古岡 啓太、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動

    石川 由加里、須藤 正喜、菅原 義弘、姚 永昭、加藤 正史、三好 実人、江川 孝志

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • Al1-xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析

    今井 大地、山路 知明、三好 実人、竹内 哲也、宮嶋 孝夫

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系ナノワイヤの局所構造評価

    宮嶋 孝夫、清木 良麻、近藤 剣、市川 貴登、伊奈 稔哲、新田 清文、宇留賀 朋哉、鶴田 一樹、隅谷 和嗣、今井 康彦、木村 滋、安田 伸広、三好 実人、今井 大地、竹内 哲也、上山 智  [招待有り]

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング

    小松 祐斗、植村 圭佑、細見 大樹、三好 実人、佐藤 威友

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • AlInNエピタキシャル膜のSiドーピングによる導電性制御

    山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価

    原田 紘希, 三好 実人, 江川 孝志、竹内 哲也

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

  • Epitaxial growth of high-quality AlInN thick films and its device applications

    Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi  [招待有り]

    SPIE Photonics West 2019  (Moscone Center, San Francisco, CA, USA)  2019年02月  -  2019年02月 

  • 高効率パワーエレクトロニクス機器のためのWBG半導体パワーデバイス技術と超高耐圧AlGaNトランジスタ

    三好 実人  [招待有り]

    学術討論会『将来のクルマを支える材料技術』  (名古屋大学)  2019年01月  -  2019年01月  日本金属学会東海支部

  • Effects of forming gas anneal on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

    T. Kubo, K. Furuoka, M. Miyoshi, and T. Egawa

    IEEE-SISC2018  (Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA, USA)  2018年12月  -  2018年12月 

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工業所有権

  • 紫外線発光素子

    特願 2017-141421 

    三好実人、江川孝志

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    特願 2015-212450  特開 2017-084981 

    三好実人、久保俊晴、江川孝志

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2014-192231  特開 2015-043437  特許 6170893

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

    特願 2014-152754  特開 2014-199953  

    杉山智彦、角谷茂明、三好実人、田中光浩

  • 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2014-038629   特開 2014-123767   特許 5671168

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-258021  特開 2014-099623   特許 5671127

    三好実人、角谷茂明、市村幹也、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

    特願 2013-251963   特開 2014-103400  

    角谷茂明、三好実人、市村幹也、杉山智彦、倉岡義孝、田中光浩

  • ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

    特願 2013-245916  特開 2015-102538  

    三好実人

  • 半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2013-0240896  特開 2014-053639 

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-058508  特開 2013-129597 

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

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学術関係受賞

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2018年06月04日   名古屋工業大学  

    受賞者：  三好 実人

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科研費（文科省・学振）獲得実績

  • 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

    基盤研究(C)

    研究期間：  2016年04月  -  2019年03月  代表者:  三好　実人

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その他競争的資金獲得実績

  • 多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイスに関する研究

    提供機関:  半導体理工学研究センター（STARC）  アイデア・スカウト（IS）

    研究期間：  2015年08月  -  2016年07月  代表者:  三好　実人

  • 半導体ハイブリッドMOS電極構造を用いた超高感度FET型ガスセンサの開発

    提供機関:  文部科学省  JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）FSステージ探索タイプ

    研究期間：  2013年08月  -  2014年03月  代表者:  三好　実人

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受託研究受入実績

  • 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」

    提供機関: 名城大学  一般受託研究

    研究期間： 2017年  -  2020年  代表者: 竹内哲也

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