三好　実人 (ミヨシ　マコト)

MIYOSHI Makoto

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類　電気電子分野
電気・機械工学専攻　電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

研究分野・キーワード

-
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出身大学

  • 1986年04月
    -
    1990年03月

    大阪大学   基礎工学部   物性物理工学科   卒業

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出身大学院

  • 1990年04月
    -
    1992年03月

    大阪大学  基礎工学研究科  物理系物性学分野修士課程  修了

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取得学位

  • 名古屋工業大学 -  博士（工学）

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学外略歴

  • 2011年03月
    -
    2012年01月

      信越半導体株式会社   半導体磯部研究所   主任研究員

  • 1992年04月
    -
    2011年02月

      日本ガイシ株式会社   研究開発本部   主任研究員

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所属学会・委員会

  • 1998年01月
    -
    継続中

    応用物理学会

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専門分野（科研費分類）

  • 結晶工学

  • 電子デバイス・電子機器

  • 電子・電気材料工学

  • 応用物性

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取得資格

  • 防火管理者（甲種）

  • 高圧ガス製造保安責任者（化学機械・冷凍機械）

  • 危険物取扱者（乙種）

  • エックス線作業主任者

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学位論文

  • Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices

    Makoto Miyoshi

      2006年03月（年月日）  [査読有り]

    学位論文（博士）   単著

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論文

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研究発表

  • AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング(2)

    小松 祐斗、渡久地 政周、斉藤 早紀、三好 実人、佐藤 威友

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月 

  • 触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2

    ドルジダウガ ビルグーン、小林 幹、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月 

  • 転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果

    小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月 

  • 格子緩和したGaInN テンプレート 上へのAlInN エピタキシャル成長

    山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月 

  • GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価（２）

    原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月 

  • AlGaInN/AlGaN 2DEGヘテロ構造における電極金属によるコンタクト抵抗低減の検討

    Chen Heng、斉藤　早紀、原田 紘希、江川　孝志、三好 実人

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  (北海道大学)  2019年09月  -  2019年09月 

  • Characterization of the Optical Constants in Al1-xInxN Alloys Grown on a c-Plane freestanding GaN Substrate; The effect of the potential fluctuations

    Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima

    1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes  (Berlin, Germany)  2019年08月  -  2019年08月 

  • Reduction in ohmic contact resistance for AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer

    Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

    TWHM 2019  (Hotel Grand Terrace Toyama)  2019年08月  -  2019年08月 

  • Characterization of potential fluctuations and optical constants in Al1-xInxN alloys grown on c-plane GaN substrate

    Daichi Imai, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima

    ICNS 2019  (Bellevue, Washington, US)  2019年07月  -  2019年07月 

  • MOCVD growth and characterization of Si-doped thick-AlInN epitaxial films

    Mizuki Yamanaka, Makoto miyoshi, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi

    CSW2019  (Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA)  2019年05月  -  2019年05月 

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工業所有権

  • 紫外線発光素子

    特願 2017-141421  特開 2019-021852  

    三好実人、江川孝志

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    特願 2015-212450  特開 2017-084981 

    三好実人、久保俊晴、江川孝志

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2014-192231  特開 2015-043437  特許 6170893

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

    特願 2014-152754  特開 2014-199953  

    杉山智彦、角谷茂明、三好実人、田中光浩

  • 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2014-038629   特開 2014-123767   特許 5671168

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-258021  特開 2014-099623   特許 5671127

    三好実人、角谷茂明、市村幹也、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

    特願 2013-251963   特開 2014-103400  

    角谷茂明、三好実人、市村幹也、杉山智彦、倉岡義孝、田中光浩

  • ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

    特願 2013-245916  特開 2015-102538  

    三好実人

  • 半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2013-0240896  特開 2014-053639 

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-058508  特開 2013-129597 

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

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学術関係受賞

  • 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞

    2019年01月   電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会  

    受賞者：  細見 大樹

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2018年06月04日   名古屋工業大学  

    受賞者：  三好 実人

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科研費（文科省・学振）獲得実績

  • 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

    基盤研究(C)

    研究期間：  2016年04月  -  2019年03月  代表者:  三好 実人

  • 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

    基盤研究(C)

    研究期間：  2019年04月  -  2022年03月  代表者:  久保 俊晴

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その他競争的資金獲得実績

  • 多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイスに関する研究

    提供機関:  半導体理工学研究センター（STARC）  アイデア・スカウト（IS）

    研究期間：  2015年08月  -  2016年07月  代表者:  三好 実人

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受託研究受入実績

  • JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ「ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究」

    提供機関: 国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST）  一般受託研究

    研究期間： 2019年09月  -  2020年08月  代表者: 三好 実人

  • 知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト「GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発」

    提供機関: 公益財団法人 科学技術交流財団  一般受託研究

    研究期間： 2019年  -  2021年  代表者: 清水 三聡（産業技術総合研究所）

  • 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」

    提供機関: 名城大学  一般受託研究

    研究期間： 2017年  -  2020年  代表者: 竹内 哲也（名城大学）

  • NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／省エネルギー技術開発事業の重要技術に係る周辺技術・関連課題の検討 「省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発」

    提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）  一般受託研究

    研究期間： 2015年  -  2016年  代表者: 江川 孝志

  • NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／実用化開発 「次世代省エネパワーデバイス用大口径高耐圧・低欠陥 GaN エピタキシャルウエハの開発」

    提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）  一般受託研究

    研究期間： 2014年09月  -  2017年02月  代表者: 田中 光浩（住友化学）

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社会貢献活動

  • 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

    2019年08月  -  2019年08月

  • 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

    2018年08月  -  2018年08月

  • イノベーション・ジャパン2017

    2017年08月  -  2017年08月

  • 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

    2017年08月  -  2017年08月

  • イノベーション・ジャパン2016

    2016年08月  -  2016年08月

  • 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

    2016年08月  -  2016年08月

  • イノベーション・ジャパン2015

    2015年08月  -  2015年08月

  • 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

    2015年08月  -  2015年08月

  • シリコン基板上GaN系パワーデバイスの最新技術動向

    2015年06月  -  2015年06月

  • 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

    2014年08月  -  2014年08月

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