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学位論文 【 表示 ／ 非表示 】

学位論文

• Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices

  Makoto Miyoshi

    2006年03月（年月日）  [査読有り]

  学位論文（博士）   単著

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文

• A 300 nm thick epitaxial AlInN film with a highly flat surface grown almost perfectly lattice-matched to c-plane free-standing GaN substrate

  Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi

  Jpn. J. Appl. Phys.   58 ( SC ) SC1006-1 - SC1006-4   2019年04月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Ultrathin inserted AlGaN/InAlN heterojunction for performance improvement in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes

  Lei Li, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

  Appl. Phys. Express   12 ( 1 ) 011010   2019年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

  Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi

  J. Cryst. Growth   506   40 - 44   2019年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Design and material growth of AlGaN-channel two-dimensional-electron gas heterostructures employing strain-controlled quaternary AlGaInN barrier layers

  Daiki Hosomi, Heng Chen, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

  Jpn. J. Appl. Phys.   58 ( 1 ) 011004-1 - 011004-5   2018年11月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Epitaxial growth and characterization of approximatey 300-nm-thick AlInN films nearly lattice-matched to GaN grown on sapphire

  Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi

  Appl. Phys. Express   11 ( 5 ) 051001-1 - 051001-4   2018年04月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically smooth heterointerface

  Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

  Jpn. J. Appl. Phys.   57 ( 4S ) 04FG12-1 - 04FG12-4   2018年03月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Distinct light emission from two-dimensional electron gas at a lattice-matched InAlN/AlGaN heterointerface

  Lei Li, Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

  Appl. Phys. Lett.   112 ( 10 ) 102102-1 - 102102-4   2018年03月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• A comparative study of InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells grown on sapphire and AlN template by metalorganic chemical vapor deposition

  Makoto Miyoshi, Miki Ohta, Takuma Mori, and Takashi Egawa

  Phys. Stat. Solidi A   214   1700323   2018年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• A comparative study of AlGaN-based PiN type UV photodiodes with and without surface recessed structures

  Mayuko Okada, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

  Trans. Mat. Res. Soc. Japan   42 ( 6 ) 151 - 153   2017年12月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

• Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically-smooth heterointerface

  Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

  Extended Abstracts of 2017 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)     635 - 636   2017年09月  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著

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研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表

• MOCVD growth and characterization of Si-doped thick-AlInN epitaxial films

  Mizuki Yamanaka, Makoto miyoshi, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi

  CSW2019  (Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA)  2019年05月  -  2019年05月 

• Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MIS HFET

  Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

  CSW2019  (Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA)  2019年05月  -  2019年05月 

• Growth and characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films with alloy compositions around lattice-matched to GaN

  Hiroki Harada, Makoto miyoshi, Takashi Egawa, and Tetsuya Takeuchi

  CSW2019  (Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA)  2019年05月  -  2019年05月 

• 高効率パワーエレクトロニクス機器に向けたWBG半導体デバイス技術 ～GaNおよびAlGaNを中心として～

  三好 実人  [招待有り]

  軽金属学会東海支部 平成31年度第1回講演会 『次世代の半導体』  (名古屋工業大学)  2019年04月  -  2019年04月  軽金属学会東海支部

• Effects of forming gas annealing conditions on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

  Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

  ISPlasma 2019  (Nagoya Inst. Tech.)  2019年03月  -  2019年03月 

• Study on influence of barrier layer thickness on carrier transport efficiency in MOCVD-grown InGaN MQW solar cells

  Hiroki Harada, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

  ISPlasma 2019  (Nagoya Inst. Tech.)  2019年03月  -  2019年03月 

• Fabrication of transfer-free graphene FETs with ALD-Al2O3 layers as the gate insulator

  Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

  ISPlasma 2019  (Nagoya Inst. Tech.)  2019年03月  -  2019年03月 

• Photo response measurement for transfer-free multilayer graphene films prepared utilizing catalyst metal agglomeration technique

  B. Dorjdagva, M. Kobayashi, T, Kubo, M. Miyoshi, and T. Egawa

  ISPlasma 2019  (Nagoya Inst. Tech.)  2019年03月  -  2019年03月 

• Study on MIS interface states of ALD-Al2O3/AlGaInN/AlGaN heterostructures

  Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

  ISPlasma 2019  (Nagoya Inst. Tech.)  2019年03月  -  2019年03月 

• ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価

  斉藤 早紀、細見 大樹、古岡 啓太、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人

  2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  (東京工業大学 大岡山キャンパス)  2019年03月  -  2019年03月 

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工業所有権 【 表示 ／ 非表示 】

工業所有権

• 紫外線発光素子

  特願 2017-141421  特開 2019-021852  

  三好実人、江川孝志

• グラフェンデバイスおよびその製造方法

  特願 2015-212450  特開 2017-084981 

  三好実人、久保俊晴、江川孝志

• 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

  特願 2014-192231  特開 2015-043437  特許 6170893

  三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

• 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

  特願 2014-152754  特開 2014-199953  

  杉山智彦、角谷茂明、三好実人、田中光浩

• 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

  特願 2014-038629   特開 2014-123767   特許 5671168

  倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

• 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

  特願 2013-258021  特開 2014-099623   特許 5671127

  三好実人、角谷茂明、市村幹也、田中光浩

• 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

  特願 2013-251963   特開 2014-103400  

  角谷茂明、三好実人、市村幹也、杉山智彦、倉岡義孝、田中光浩

• ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

  特願 2013-245916  特開 2015-102538  

  三好実人

• 半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

  特願 2013-0240896  特開 2014-053639 

  三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

• エピタキシャル基板の製造方法

  特願 2013-058508  特開 2013-129597 

  倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

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学術関係受賞 【 表示 ／ 非表示 】

学術関係受賞

• 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞

  2019年01月   電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会  

  受賞者：  細見 大樹

• 名古屋工業大学教員評価優秀賞

  2018年06月04日   名古屋工業大学  

  受賞者：  三好 実人

科研費（文科省・学振）獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】

科研費（文科省・学振）獲得実績

• 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

  基盤研究(C)

  研究期間：  2016年04月  -  2019年03月  代表者:  三好 実人

• 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

  基盤研究(C)

  研究期間：  2019年04月  -  2022年03月  代表者:  久保 俊晴

その他競争的資金獲得実績 【 表示 ／ 非表示 】

その他競争的資金獲得実績

• 多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイスに関する研究

  提供機関:  半導体理工学研究センター（STARC）  アイデア・スカウト（IS）

  研究期間：  2015年08月  -  2016年07月  代表者:  三好 実人

受託研究受入実績 【 表示 ／ 非表示 】

受託研究受入実績

• 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」

  提供機関: 名城大学  一般受託研究

  研究期間： 2017年  -  2020年  代表者: 竹内 哲也（名城大学）

• NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／省エネルギー技術開発事業の重要技術に係る周辺技術・関連課題の検討 「省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発」

  提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）  一般受託研究

  研究期間： 2015年  -  2016年  代表者: 江川 孝志

• NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／実用化開発 「次世代省エネパワーデバイス用大口径高耐圧・低欠陥 GaN エピタキシャルウエハの開発」

  提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）  一般受託研究

  研究期間： 2014年09月  -  2017年02月  代表者: 田中 光浩（住友化学）

• JST スーパークラスタープログラム（愛知地域）「ＧａＮ/Ｓｉベース半導体の確立とその社会実装」

  提供機関: 公益財団法人 科学技術交流財団  一般受託研究

  研究期間： 2013年12月  -  2018年03月  代表者: 江川 孝志

• JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／FSステージ探索タイプ「半導体ハイブリッドMOS電極構造を用いた超高感度FET型ガスセンサの開発」

  提供機関: 国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST）  一般受託研究

  研究期間： 2013年08月  -  2014年03月  代表者: 三好 実人

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社会貢献活動 【 表示 ／ 非表示 】

社会貢献活動

• 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

  2018年08月  -  2018年08月

• イノベーション・ジャパン2017

  2017年08月  -  2017年08月

• 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

  2017年08月  -  2017年08月

• イノベーション・ジャパン2016

  2016年08月  -  2016年08月

• 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

  2016年08月  -  2016年08月

• イノベーション・ジャパン2015

  2015年08月  -  2015年08月

• 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

  2015年08月  -  2015年08月

• シリコン基板上GaN系パワーデバイスの最新技術動向

  2015年06月  -  2015年06月

• 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

  2014年08月  -  2014年08月

• 半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

  2013年08月  -  2013年08月

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