三好　実人 (ミヨシ　マコト)

MIYOSHI Makoto

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類　電気電子分野
電気・機械工学専攻　電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

教授

メールアドレス

メールアドレス

ホームページ

http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

研究分野・キーワード

-
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出身大学

  • 1986年04月
    -
    1990年03月

    大阪大学   基礎工学部   物性物理工学科   卒業

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出身大学院

  • 1990年04月
    -
    1992年03月

    大阪大学  基礎工学研究科  物理系物性学分野修士課程  修了

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取得学位

  • 名古屋工業大学 -  博士（工学）

  • 大阪大学 -  工学修士

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学外略歴

  • 2011年03月
    -
    2012年01月

      信越半導体株式会社   半導体磯部研究所   主任研究員

  • 1992年04月
    -
    2011年02月

      日本ガイシ株式会社   研究開発本部   主任研究員

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所属学会・委員会

  • 1998年01月
    -
    継続中

    応用物理学会

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専門分野（科研費分類）

  • 電子・電気材料工学

  • 電子デバイス・電子機器

  • 応用物性

  • 結晶工学

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取得資格

  • 防火管理者（甲種）

  • 高圧ガス製造保安責任者（化学機械・冷凍機械）

  • 危険物取扱者（乙種）

  • エックス線作業主任者

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学位論文

  • Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices

    Makoto Miyoshi

      2006年03月（年月日）  [査読有り]

    学位論文（博士）   単著

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論文

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研究発表

  • MOCVD growth of 300-nm-thick epitaxial AlInN films on GaN/sapphire templates and free-standing GaN substrates

    Mizuki Yamanaka, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

    IWN 2018  ( Ishikawa Ongakudo and the ANA Crown Plaza Kanazawa Hotel, Kanazawa, Ishikawa )  2018年11月  -  2018年11月 

  • Effects of annealing ambient on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

    Toshiharu Kubo, Keita Furuoka, Makoto miyoshi, and Takashi Egawa

    IWN 2018  ( Ishikawa Ongakudo and the ANA Crown Plaza Kanazawa Hotel, Kanazawa, Ishikawa )  2018年11月  -  2018年11月 

  • Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

    IWN 2018  ( Ishikawa Ongakudo and the ANA Crown Plaza Kanazawa Hotel, Kanazawa, Ishikawa )  2018年11月  -  2018年11月 

  • Study on barrier thickness dependency of carrier transport property in InGaN/GaN MQW solar cells

    Hiroki Harada, Shinya Kato, Makoto Miyoshi, and Takashi

    IWN 2018  ( Ishikawa Ongakudo and the ANA Crown Plaza Kanazawa Hotel, Kanazawa, Ishikawa )  2018年11月  -  2018年11月 

  • Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers

    Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki

    IWN 2018  ( Ishikawa Ongakudo and the ANA Crown Plaza Kanazawa Hotel, Kanazawa, Ishikawa )  2018年11月  -  2018年11月 

  • 四元混晶AlGaInNバリア層を有するAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価

    細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、久保 俊晴、江川 孝志、三好実人

    先進パワー半導体分科会　第5回講演会  (京都テルサ)  2018年11月  -  2018年11月 

  • AlGaNチャネルHFETの進展

    三好 実人、細見大樹

    第2回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』  (名古屋工業大学)  2018年10月  -  2018年10月 

  • 四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価

    細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月 

  • ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製

    小林幹、ドルジダウガ ビルグーン、久保俊晴、三好実人、江川孝志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月 

  • 触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価

    ドルジダウガ ビルグーン、小林 幹、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月 

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工業所有権

  • 紫外線発光素子

    特願 2017-141421 

    三好実人、江川孝志

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    特願 2015-212450  特開 2017-084981 

    三好実人、久保俊晴、江川孝志

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2014-192231  特開 2015-043437  特許 6170893

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

    特願 2014-152754  特開 2014-199953  

    杉山智彦、角谷茂明、三好実人、田中光浩

  • 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2014-038629   特開 2014-123767   特許 5671168

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-258021  特開 2014-099623   特許 5671127

    三好実人、角谷茂明、市村幹也、田中光浩

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

    特願 2013-251963   特開 2014-103400  

    角谷茂明、三好実人、市村幹也、杉山智彦、倉岡義孝、田中光浩

  • ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

    特願 2013-245916  特開 2015-102538  

    三好実人

  • 半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    特願 2013-0240896  特開 2014-053639 

    三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩

  • エピタキシャル基板の製造方法

    特願 2013-058508  特開 2013-129597 

    倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩

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学術関係受賞

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2018年06月04日   名古屋工業大学  

    受賞者：  三好 実人

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科研費（文科省・学振）獲得実績

  • 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

    基盤研究(C)

    研究期間：  2016年04月  -  2019年03月  代表者:  三好　実人

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その他競争的資金獲得実績

  • 多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイス関する研究

    提供機関:  半導体理工学研究センター（STARC）  アイデア・スカウト（IS）

    研究期間：  2015年08月  -  2016年07月  代表者:  三好　実人

  • 半導体ハイブリッドMOS電極構造を用いた超高感度FET型ガスセンサの開発

    提供機関:  文部科学省  JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）FSステージ探索タイプ

    研究期間：  2013年08月  -  2014年03月  代表者:  三好　実人

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受託研究受入実績

  • 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」

    提供機関: 名城大学  一般受託研究

    研究期間： 2017年  -  2020年  代表者: 竹内哲也

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