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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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三好 実人 (ミヨシ マコト)
MIYOSHI Makoto
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学外略歴
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2020年04月-2021年03月
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 客員教授
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2011年03月-2012年01月
信越半導体株式会社 半導体磯部研究所 主任研究員
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1992年04月-2011年02月
日本ガイシ株式会社 研究開発本部 主任研究員
学位論文
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Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices
Makoto Miyoshi
2006年03月（年月日） [査読有り]
学位論文（博士） 単著
論文
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Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
Japanese Journal of Applied Physics ( The Japan Society of Applied Physics ) 60 2022年02月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science ( WILEY-VCH ) 218 2100397-1 - 2100397-5 2021年11月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Applied Physics Express ( The Japan Society of Applied Physics ) 14 ( 11 ) 116503-1 - 116503-3 2021年10月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system
Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021 ( The Japan Society of Applied Physics ) 333 - 334 2021年09月 [査読有り]
研究論文（国際会議プロシーディングス） 共著
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High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts
Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021 ( The Japan Society of Applied Physics ) 269 - 270 2021年09月 [査読有り]
研究論文（国際会議プロシーディングス） 共著
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Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa
AIP Advances ( AIP ) 11 ( 9 ) 095208-1 - 095208-8 2021年09月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Liyang Li, Kohei Shima, Mizuki Yamanaka, Kazunobu Kojima, Takashi Egawa, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Shigefusa F. Chichibu
Applied Physics Letters ( AIP ) 119 ( 9 ) 091105-1 - 091105-6 2021年08月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Sensors and Actuators A: Physical ( Elsevier ) 331 113050-1 - 113050-11 2021年08月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Optics Letters ( OSA ) 46 ( 15 ) 3568 - 3571 2021年08月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Pradip Dalapati, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
Optik ( Elsevier ) 245 167691-1 - 167691-2 2021年07月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
研究発表
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c面Al0.82In0.18N/GaN格子整合ヘテロ構造の発光特性
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 (東北大学 片平さくらホール ＆ Zoomミーティング) 2021年12月 - 2021年12月 東北大学多元物質科学研究所研
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AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 (オンライン開催) 2021年11月 - 2021年11月
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 (オンライン開催) 2021年11月 - 2021年11月
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光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、三好 実人、佐藤 威友
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 (オンライン開催) 2021年11月 - 2021年11月
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c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 (オンライン開催) 2021年11月 - 2021年11月
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AlInN/GaN 多層膜反射鏡における反射スペクトルの温度依存性
長澤 剛、 上島 祐介、 稲垣 徹郎、 柴田 夏奈、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン開催) 2021年09月 - 2021年09月
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光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下での評価
中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン開催) 2021年09月 - 2021年09月
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選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al0.36Ga0.64N HFETの作製と特性評価
井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン開催) 2021年09月 - 2021年09月
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Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system
Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021) (Online) 2021年09月 - 2021年09月
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High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts
Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021) (Online) 2021年09月 - 2021年09月
工業所有権
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半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板
特願 2021-026922
三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
特願 2019-213233 特開 2021-086878
三好 実人
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紫外線発光素子
特願 2017-141421 特開 2019-021852
三好 実人、江川 孝志
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
特願 2015-212450 特開 2017-084981
三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
特願 2014-192231 特開 2015-043437 特許 6170893
三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
特願 2014-152754 特開 2014-199953
杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩
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半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法
特願 2014-038629 特開 2014-123767 特許 5671168
倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法
特願 2013-258021 特開 2014-099623 特許 5671127
三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
特願 2013-251963 特開 2014-103400
角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩
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ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー
特願 2013-245916 特開 2015-102538
三好 実人
学術関係受賞
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会
受賞者： 細見 大樹 -
名古屋工業大学教員評価優秀賞
2018年06月04日 名古屋工業大学
受賞者： 三好 実人
科研費（文科省・学振）獲得実績
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超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
基盤研究(B)
研究期間： 2021年04月 - 2024年03月 代表者: 三好 実人
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強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用
基盤研究(B)
研究期間： 2020年04月 - 2023年03月 代表者: 佐藤 威友（北海道大学）
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
基盤研究(C)
研究期間： 2019年04月 - 2022年03月 代表者: 久保 俊晴
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超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築
基盤研究(C)
研究期間： 2016年04月 - 2019年03月 代表者: 三好 実人
その他競争的資金獲得実績
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多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイスに関する研究
提供機関: 半導体理工学研究センター（STARC） アイデア・スカウト（IS）
研究期間： 2015年08月 - 2016年07月 代表者: 三好 実人
受託研究受入実績
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JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／産学共同（育成型）「次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発」
提供機関: 国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 一般受託研究
研究期間： 2020年12月 - 2023年03月 代表者: 三好 実人
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JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ「ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究」
提供機関: 国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 一般受託研究
研究期間： 2019年09月 - 2020年08月 代表者: 三好 実人
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知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト「GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発」
提供機関: 公益財団法人 科学技術交流財団 一般受託研究
研究期間： 2019年 - 2021年 代表者: 清水 三聡（産業技術総合研究所）
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文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」
提供機関: 文部科学省 一般受託研究
研究期間： 2017年 - 2020年 代表者: 竹内 哲也（名城大学）
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NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／省エネルギー技術開発事業の重要技術に係る周辺技術・関連課題の検討 「省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発」
提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 一般受託研究
研究期間： 2015年 - 2016年 代表者: 江川 孝志
社会貢献活動
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イノベーション・ジャパン2021
JST （オンライン開催） 2021年08月 - 2021年09月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2021年08月 - 2021年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2019年08月 - 2019年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2018年08月 - 2018年08月
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イノベーション・ジャパン2017
2017年08月 - 2017年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2017年08月 - 2017年08月
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イノベーション・ジャパン2016
2016年08月 - 2016年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2016年08月 - 2016年08月
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イノベーション・ジャパン2015
2015年08月 - 2015年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2015年08月 - 2015年08月