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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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三好 実人 (ミヨシ マコト)
MIYOSHI Makoto
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学外略歴
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2020年04月-2021年03月
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 客員教授
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2011年03月-2012年01月
信越半導体株式会社 半導体磯部研究所 主任研究員
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1992年04月-2011年02月
日本ガイシ株式会社 研究開発本部 主任研究員
学位論文
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Study on MOVPE growth of III-nitrides heteroepitaxial films and their application to electronic devices
Makoto Miyoshi
2006年03月（年月日） [査読有り]
学位論文（博士） 単著
論文
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Makoto Miyoshi, Hiroki Harada, Takashi Egawa and Tetsuya Takeuchi
Physica Status Solidi (a) 217 ( 3 ) 1900597-1 - 1900597-6 2020年02月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi
J. Vac. Sci. Tech. B 37 ( 4 ) 041205-1 - 041205-4 2019年07月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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450 nm GaInN ridge stripe laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers
Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Ryosuke Iida, Yuki Kato, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys. 58 ( SC ) SCCC28-1 - SCCC28-6 2019年05月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa and Tetsuya Takeuchi
Jpn. J. Appl. Phys. 58 ( SC ) SC1006-1 - SC1006-4 2019年04月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Lei Li, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa
Appl. Phys. Express 12 ( 1 ) 011010-1 - 011010-4 2019年01月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa and Tetsuya Takeuchi
J. Cryst. Growth 506 40 - 44 2019年01月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Daiki Hosomi, Heng Chen, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi
Jpn. J. Appl. Phys. 58 ( 1 ) 011004-1 - 011004-5 2018年11月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa and Tetsuya Takeuchi
Appl. Phys. Express 11 ( 5 ) 051001-1 - 051001-4 2018年04月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Takashi Egawa and Makoto Miyoshi
Jpn. J. Appl. Phys. 57 ( 4S ) 04FG12-1 - 04FG12-4 2018年03月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Lei Li, Daiki Hosomi, Yuta Miyachi, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa
Appl. Phys. Lett. 112 ( 10 ) 102102-1 - 102102-4 2018年03月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
研究発表
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AlInNエピタキシャル膜へのSiドーピングとその縦方向導電性評価
三好 実人、中林 泰希、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也
2019年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス) 2020年03月 - 2020年03月
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コンタクト抵抗を改善したAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
三好 実人、Chen Heng、斉藤 早紀、井上 暁喜、江川 孝志
2019年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス) 2020年03月 - 2020年03月
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転写フリーグラフェンFETの電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果
小林 幹、ドルジダウガ ビルグーン、高橋 明空、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志
2019年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス) 2020年03月 - 2020年03月
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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス
李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英
2019年 第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス) 2020年03月 - 2020年03月
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Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi and Takashi Egawa
ISPlasma 2020 (Nagoya University) 2020年03月 - 2020年03月
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AlGaNチャネルパワーHFETの進展（２）
三好 実人
第6回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』 (名古屋工業大学) 2020年02月 - 2020年02月
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GaN系半導体の太陽電池応用 ～現状と課題～
三好 実人
第5回 『窒化物半導体に関する最先端技術研究会』 (名古屋工業大学) 2019年11月 - 2019年11月
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MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中 瑞樹、三好 実人、江川 孝志、岡田 成仁、只友 一行、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 (静岡大学 浜松キャンパス) 2019年11月 - 2019年11月
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GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田 紘希、三好 実人、江川 孝志、竹内 哲也
電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 (静岡大学 浜松キャンパス) 2019年11月 - 2019年11月
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AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング(2)
小松 祐斗、渡久地 政周、斉藤 早紀、三好 実人、佐藤 威友
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学) 2019年09月 - 2019年09月
工業所有権
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
特願 2019-213233
三好実人
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紫外線発光素子
特願 2017-141421 特開 2019-021852
三好実人、江川孝志
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
特願 2015-212450 特開 2017-084981
三好実人、久保俊晴、江川孝志
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
特願 2014-192231 特開 2015-043437 特許 6170893
三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
特願 2014-152754 特開 2014-199953
杉山智彦、角谷茂明、三好実人、田中光浩
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半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法
特願 2014-038629 特開 2014-123767 特許 5671168
倉岡義孝、三好実人、角谷茂明、田中光浩
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法
特願 2013-258021 特開 2014-099623 特許 5671127
三好実人、角谷茂明、市村幹也、田中光浩
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半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子
特願 2013-251963 特開 2014-103400
角谷茂明、三好実人、市村幹也、杉山智彦、倉岡義孝、田中光浩
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ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー
特願 2013-245916 特開 2015-102538
三好実人
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半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法
特願 2013-0240896 特開 2014-053639
三好実人、倉岡義孝、角谷茂明、田中光浩
学術関係受賞
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電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞
2019年01月 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会
受賞者： 細見 大樹 -
名古屋工業大学教員評価優秀賞
2018年06月04日 名古屋工業大学
受賞者： 三好 実人
科研費（文科省・学振）獲得実績
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超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築
基盤研究(C)
研究期間： 2016年04月 - 2019年03月 代表者: 三好 実人
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極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製
基盤研究(C)
研究期間： 2019年04月 - 2022年03月 代表者: 久保 俊晴
その他競争的資金獲得実績
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多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイスに関する研究
提供機関: 半導体理工学研究センター（STARC） アイデア・スカウト（IS）
研究期間： 2015年08月 - 2016年07月 代表者: 三好 実人
受託研究受入実績
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JST 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ「ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究」
提供機関: 国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST） 一般受託研究
研究期間： 2019年09月 - 2020年08月 代表者: 三好 実人
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知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト「GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発」
提供機関: 公益財団法人 科学技術交流財団 一般受託研究
研究期間： 2019年 - 2021年 代表者: 清水 三聡（産業技術総合研究所）
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文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発／レーザーデバイス・システム領域」
提供機関: 名城大学 一般受託研究
研究期間： 2017年 - 2020年 代表者: 竹内 哲也（名城大学）
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NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／省エネルギー技術開発事業の重要技術に係る周辺技術・関連課題の検討 「省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発」
提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 一般受託研究
研究期間： 2015年 - 2016年 代表者: 江川 孝志
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NEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム／実用化開発 「次世代省エネパワーデバイス用大口径高耐圧・低欠陥 GaN エピタキシャルウエハの開発」
提供機関: 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 一般受託研究
研究期間： 2014年09月 - 2017年02月 代表者: 田中 光浩（住友化学）
社会貢献活動
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2019年08月 - 2019年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2018年08月 - 2018年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2017年08月 - 2017年08月
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イノベーション・ジャパン2017
2017年08月 - 2017年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2016年08月 - 2016年08月
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イノベーション・ジャパン2016
2016年08月 - 2016年08月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2015年08月 - 2015年08月
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イノベーション・ジャパン2015
2015年08月 - 2015年08月
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シリコン基板上GaN系パワーデバイスの最新技術動向
2015年06月 - 2015年06月
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術
2014年08月 - 2014年08月