MIYOSHI Makoto

写真a

Affiliation Department

Department of Electrical and Mechanical Engineering
Department of Electrical and Mechanical Engineering
Research Center for Nano-Device and next generation material

Title

Professor

Contact information

Contact information

Homepage

http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

External Link

Degree

  • Doctor of Engineering ( 2006.03   Nagoya Institute of Technology )

Research Areas

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials

  • Nanotechnology/Materials / Applied physical properties

  • Nanotechnology/Materials / Crystal engineering

From School

  • Osaka University   Faculty of Engineering Science   Graduated

    1986.04 - 1990.03

      More details

    Country:Japan

From Graduate School

  • Osaka University   Graduate School, Division of Engineering Science   Master's Course   Completed

    1990.04 - 1992.03

      More details

    Country:Japan

External Career

  • Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.   Isobe R&D Center   Chief Researcher

    2011.03 - 2012.01

      More details

    Country:Japan

  • NGK Insulators, Ltd.   Corporate R&D   Chief Researcher

    1992.04 - 2011.02

      More details

    Country:Japan

  • Hokkaido University   Research Center For Integrated Quantum Electronics   Guest Professor

    2020.04 - 2021.03

      More details

    Country:Japan

Professional Memberships

  • 応用物理学会

    1998.01

Qualification Acquired

  • 防火管理者(甲種)

  • Person in Charge of High-pressure Gas Production Security (chemical machinery and frozen machine)

  • Hazardous Material Handler (second kind)

  • X-ray Work Chief Person

 

Papers

  • High temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties Reviewed International journal

    Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   2022.11

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:AVS  

  • Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) Reviewed International journal

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A.Uedono, S. F. Chichibu

    Journal of Applied Physics   132 ( 16 )   163102-1 - 163102-10   2022.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:AIP  

    DOI: 10.1063/5.0106540

    Other Link: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0106540

  • Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Role of electrically active defects Reviewed International coauthorship International journal

    Pradip Dalapati, Abdulaziz Almalki, Sultan Alhassan, Saud Alotaibi, Maryam Al Huwayz, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi, Mohamed Henini

    Sensors and Actuators: A. Physical   347   113935-1 - 113935-8   2022.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:Elsevier  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113935

    Other Link: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0924424722005702

  • The role of p-GaN layer thickness for the evaluation of high-performance and ultrafast GaInN/GaN multiple quantum wells UV photodetectors Reviewed International journal

    Pradip Dalapati, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Optical Materials   127   112284-1 - 112284-9   2022.05

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.optmat.2022.112284

    Other Link: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925346722003184?dgcid=coauthor

  • Simulation study on novel GaN-based npn heterojunction bipolar transistors with a quaternary AlGaInN emitter and a two-dimensionally conductive base Reviewed International journal

    Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science   219 ( 4 )   2100397-1 - 2100397-5   2022.02

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:WILEY-VCH  

    DOI: 10.1002/pssa.202100397

    Other Link: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.202100397

  • High drain-current-density and high breakdown-field Al0.36Ga0.64N-channel heterojunction filed-effect transistors with a dual AlN/AlGaInN barrier layer Reviewed International journal

    Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SC )   SC1039-1 - SC1039-6   2022.02

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4b09

    Other Link: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4b09

  • Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate Reviewed International journal

    Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SA )   SA1017-1 - SA1017-5   2022.01

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac148a

    Other Link: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac148a

  • Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films Reviewed International journal

    Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   14 ( 11 )   116503-1 - 116503-3   2021.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)   Publisher:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac30ed

    Other Link: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac30ed

  • Evaluation of GaInN-based photovoltaic cells under monochromatic light illumination toward the application to the optical wireless power transmission system Reviewed International journal

    Taiki Nakabayashi, Kousuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021   333 - 334   2021.09

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)   Publisher:The Japan Society of Applied Physics  

  • High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts Reviewed International journal

    Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2021   269 - 270   2021.09

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)   Publisher:The Japan Society of Applied Physics  

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Misc

  • 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人

    122   2022.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

  • 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性

    藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行

    122   2022.11

     More details

    Authorship:Corresponding author   Language:Japanese  

  • GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討

    飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人

    122   2022.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

  • c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

    李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、小島 一信、江川 孝志、上殿 明良、石橋 章司、竹内 哲也、三好 実人、秩父 重英

    121 ( 261 )   45 - 50   2021.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/202111250Cgs/

  • AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET

    井上 暁喜、田中 さくら、江川 孝志、三好 実人

    121 ( 259 )   79 - 82   2021.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126LCgR/

  • 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価

    中林 泰希、山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人

    121 ( 261 )   59 - 62   2021.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/20211125JCgu/

  • 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製

    伊藤 滉朔、小松 祐斗、渡久地 政周、井上 暁喜、田中 さくら、三好 実人、佐藤 威友

    121 ( 251 )   91 - 94   2021.11

     More details

    Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/20211126DCgr/

  • 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET

    井上 暁喜、原田 紘希、山中 瑞樹、江川 孝志、三好 実人

    120 ( 254 )   25 - 28   2020.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126oCBc/

  • エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究

    中林 泰希、高田 華果、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也

    120 ( 256 )   13 - 16   2020.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/202011263CB0/

  • 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討

    山本 皓介、Pradip Dalapati、江川 孝志、三好 実人

    120 ( 256 )   17 - 20   2020.11

     More details

    Authorship:Last author, Corresponding author   Language:Japanese  

    Other Link: https://ken.ieice.org/ken/paper/20201126ICB0/

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Presentations

  • GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温における非輻射再結合寿命

    李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、 石橋 章司、上殿 明良、秩父 重英

    2022年応用物理学会東北支部 第77回学術講演会  2022.12  応用物理学会東北支部

     More details

    Event date: 2022.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学 片平キャンパス 片平さくらホール&オンライン   Country:Japan  

  • 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性

    藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 

     More details

    Event date: 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県産業労働センター)  

  • GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討

    飯田 悠介、間瀬 晃、滝本 将也、二階 祐宇、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 

     More details

    Event date: 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県産業労働センター)  

  • 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

    田中 さくら、川出 智之、井上 暁喜、江川 孝志、三好 実人

    電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 

     More details

    Event date: 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:ウインクあいち(愛知県産業労働センター)  

  • Semipolar {11-22} AlInN epitaxial layers grown on a fully relaxed semipolar GaInN/GaN/m-plane sapphire template by MOCVD International conference

    T. Fujisawa, M. Miyoshi, T. Egawa, T. Takeuchi, N. Okada, K. Tadatomo

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022) 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany  

  • AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate International conference

    Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022) 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:English   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany  

  • 半極性{11-22}AlInN/GaInNの成長温度依存性

    藤澤 孝博、中林 泰希、江川 孝志、三好 実人、竹内 哲也、岡田 成仁、只友 一行

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2022.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学 川内北キャンパス+オンライン  

  • 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上 転写フリーグラフェン膜の作製

    加藤 一朗、久保 俊晴、三好 実人、江川 孝志

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2022.09

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東北大学 川内北キャンパス+オンライン  

  • GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

    李 リヤン、嶋 紘平、山中 瑞樹、江川 孝志、竹内 哲也、三好 実人、石橋 章司、上殿 明良、秩父 重英

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2022.09

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学 川内北キャンパス+オンライン  

  • Fabrication and device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN Substrate International conference

    Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

    14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022) 

     More details

    Event date: 2022.08 - 2022.09

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Hiroshima Garden Place Hotel, Hiroshima, Japan  

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Industrial Property Rights

  • 半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板

    三好 実人、間瀬 晃、二階 祐宇、飯田 悠介

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋工業大学

    Application no:2021-026922  Date applied:2021.02

    Announcement no:2022-128613  Date announced:2022.09

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

    三好 実人

     More details

    Applicant:国立大学法人名古屋工業大学

    Application no:2019-213233  Date applied:2019.11

    Announcement no:2021-086878  Date announced:2021.06

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • 紫外線発光素子

    三好 実人、江川 孝志

     More details

    Applicant:国立大学法人 名古屋工業大学

    Application no:2017-141421  Date applied:2017.07

    Announcement no:2019-021852   Date announced:2019.02

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    三好 実人、久保 俊晴、江川 孝志

     More details

    Applicant:国立大学法人 名古屋工業大学

    Application no:2015-212450  Date applied:2015.10

    Announcement no:2017-084981  Date announced:2017.05

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

    三好 実人、倉岡 義孝、角谷 茂明、田中 光浩

     More details

    Application no:2014-192231  Date applied:2014.09

    Announcement no:2015-043437  Date announced:2015.03

    Patent/Registration no:6170893   Date registered:2017.07  Date issued:2017.07

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

    杉山 智彦、角谷 茂明、三好 実人、田中 光浩

     More details

    Application no:2014-152754  Date applied:2014.07

    Announcement no:2014-199953   Date announced:2014.10

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

    倉岡 義孝、三好 実人、角谷 茂明、田中 光浩

     More details

    Application no:2014-038629   Date applied:2014.02

    Announcement no:2014-123767   Date announced:2014.07

    Patent/Registration no:5671168  Date registered:2015.02  Date issued:2015.02

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

    三好 実人、角谷 茂明、市村 幹也、田中 光浩

     More details

    Application no:2013-258021  Date applied:2013.12

    Announcement no:2014-099623   Date announced:2014.05

    Patent/Registration no:5671127  Date registered:2014.12  Date issued:2014.12

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

    角谷 茂明、三好 実人、市村 幹也、杉山 智彦、倉岡 義孝、田中 光浩

     More details

    Application no:2013-251963   Date applied:2013.12

    Announcement no:2014-103400   Date announced:2014.06

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

  • ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

    三好 実人

     More details

    Application no:2013-245916  Date applied:2013.11

    Announcement no:2015-102538   Date announced:2015.06

    Country of applicant:Domestic   Country of acquisition:Domestic

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Awards

  • The Best Poster Presentation

    2022.10   International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022   AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate

    Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc. 

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2022.06   名古屋工業大学  

    三好 実人

     More details

    Country:Japan

  • IOP Outstanding Reviewer Awards 2021

    2022.04   IOP publishing  

    Makoto Miyoshi

     More details

    Award type:Honored in official journal of a scientific society, scientific journal  Country:Japan

  • The ISPlasma Prize, The 2022 Best Short Presentation Awards

    2022.03   The ISPlasma Prize 2022   Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes

    Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

     More details

    Award type:Award from international society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

  • 電子情報通信学会 電子デバイス (ED) 研究専門委員会 論文発表奨励賞

    2019.01   電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ 電子デバイス (ED) 研究専門委員会   歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

    細見 大樹、古岡 啓太、陳 珩、斉藤 早紀、久保 俊晴、江川 孝志、三好 実人

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

  • 名古屋工業大学教員評価優秀賞

    2018.06   名古屋工業大学  

    三好 実人

     More details

    Country:Japan

Scientific Research Funds Acquisition Results

  • 超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発

    2021.04 - 2024.03

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    三好 実人

  • 強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用

    2020.04 - 2023.03

    科学研究費補助金  基盤研究(B)

    佐藤 威友(北海道大学)

  • 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

    2019.04 - 2022.03

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

    久保 俊晴

  • 超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

    2016.04 - 2019.03

    科学研究費補助金  基盤研究(C)

    三好 実人

Other External Funds

  • 移動体への光無線給電システムの研究開発

    2022 - 2024

    国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)  先導研究プログラム/エネルギー・環境新技術先導研究プログラム(エネ環) 

    上山 智(名城大学)

      More details

    Grant type:Competitive

  • 次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発

    2020.12 - 2023.03

    国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)  研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/産学共同(育成型) 

    三好 実人

      More details

    Grant type:Competitive

  • ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究

    2019.09 - 2020.08

    国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)  研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/機能検証フェーズ試験研究タイプ 

    三好 実人

      More details

    Grant type:Competitive

  • GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発

    2019 - 2021

    公益財団法人 科学技術交流財団  知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期/近未来自動車技術開発プロジェクト 

    清水 三聡(産業技術総合研究所)

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    Grant type:Competitive

  • レーザーデバイス・システム領域

    2017 - 2020

    文部科学省  省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 

    竹内 哲也(名城大学)

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    Grant type:Competitive

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Social Activities

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    Role(s): Lecturer

    2022.08

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    Audience: High school students, General

  • イノベーション・ジャパン2021

    Role(s): Informant

    2021.08

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    Audience: General

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    Role(s): Lecturer

    2021.08

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    Audience: General

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    Role(s): Lecturer

    2019.08

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    Audience: General

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    Role(s): Lecturer

    2018.08

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    Audience: General

  • イノベーション・ジャパン2017

    Role(s): Informant

    2017.08

     More details

    Audience: General

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    Role(s): Lecturer

    2017.08

     More details

    Audience: General

  • イノベーション・ジャパン2016

    Role(s): Informant

    2016.08

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    Audience: General

  • 半導体ナノテクノロジー:日本を支える最先端技術

    Role(s): Lecturer

    2016.08

     More details

    Audience: General

  • イノベーション・ジャパン2015

    Role(s): Informant

    2015.08

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    Audience: General

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Media Coverage

  • シリコン基板上GaN系パワーデバイスの最新技術動向

    2015.06