久保 俊晴 (クボ トシハル)

KUBO Toshiharu

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

准教授

 

論文

  • Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

    Jpn. J. Appl. Phys.   57   01AD04-1 - 01AD04-5   2017年12月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing

    Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   32   125016-1 - 125016-5   2017年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

    Microelectronic Engineering   178   182 - 185   2017年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates

    T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa

    Semiconductor Science and Technology   32   065012-1 - 065012-5   2017年05月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique

    M. Miyoshi, Y. Arima, T. Kubo, T. Egawa

    Appl. Phys. Lett.     2017年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Influence of AlN nucleation layer on vertical breakdown characteristics for GaN‐on‐Si

    J. J. Freedsman, A. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Kubo, T. Egawa

    physica status solidi (a)   213 ( 2 ) 424 - 428   2015年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors

    Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

    Applied Physics Letters     2015年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Effects of process temperature during atomic layer deposition using water and ozone as oxidants on current–voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates (共著)

    Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa

    Japanease Journal of Applied Physics   54   020301-1 - 020301-4   2015年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Normally-off AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with selectively dry-etched recessed gate and polarization-charge compensation δ-doped GaN cap layer (共著)

    Akio Wakejima, Akihiro Ando, Arata Watanabe, Keita Inoue, Toshiharu Kubo, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, and Takashi Egawa

    Applied Physics Express   8   026502-1 - 026502-4   2015年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Study on transfer-free graphene synthesis process utilizing spontaneous agglomeration of catalytic Ni and Co metals (共著)

    Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Tetsuo Soga

    Materials Research Express   2   015602-1 - 015602-8   2015年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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研究発表

  • Effects of Forming Gas Anneal on Electrical Properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

    T. Kubo, K. Furuoka, M. Miyoshi, T. Egawa

    SISC2018  (Sandiego USA)  2018年12月  -  2018年12月  IEEE

  • Surface and Bulk Carrier Transports in Accumulation-mode GaN MOSFETs

    N. Taoka, N. H. Trung, H. Yamada, T. Takahashi, T. Yamada, T. Kubo, T. Egawa, M. Shimizu

    SISC2018  (Sandiego USA)  2018年12月  -  2018年12月  IEEE

  • Device characteristics of a novel AlGaN-channel HFET employing a quaternary AlGaInN barrier layer

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

    IWN2018  (the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa)  2018年11月  -  2018年11月  JSAP

  • Effects of annealing ambient on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

    Toshiharu Kubo, Keita Furuoka, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

    IWN2018  (the ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa)  2018年11月  -  2018年11月  JSAP

  • ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす水素アニールの効果

    古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月  日本応用物理学会

  • MOCVD法によるInAlGaN/AlGaNヘテロ構造の成長とその2DEG特性の熱的安定性評価

    細見大樹, 古岡啓太, 陳珩, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月  日本応用物理学会

  • ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製

    小林幹,ドルジダウガ・ビルグーン, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  (名古屋国際会議場)  2018年09月  -  2018年09月  日本応用物理学会

  • ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果

    久保俊晴,三好実人, 江川孝志

    第65回応用物理学会春季学術講演会  (早稲田大学西早稲田キャンパス)  2018年03月  -  2018年03月  日本応用物理学会

  • ESR studies of layer thickness and post-deposition annealing effects on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT structures

    T. Kubo, T. Egawa

    SISC 2017  (San Diego, USA)  2017年12月  -  2017年12月  IEEE

  • Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures

    N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, M. Shimizu

    SISC 2017  (San Diego, USA)  2017年12月  -  2017年12月  IEEE

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学術関係受賞

  • ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award

    2017年03月05日   ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee  

    受賞者:  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu