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所属学科・専攻等 |
電気・機械工学教育類 電気電子分野
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職名 |
准教授 |
久保 俊晴 (クボ トシハル)
KUBO Toshiharu
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学外略歴
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2008年12月-2010年03月
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 大学等非常勤研究員
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2005年10月-2008年12月
東京大学 大学院工学系研究科 大学等非常勤研究員
所属学会・委員会
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2018年04月-継続中
電子情報通信学会電子デバイス研究会
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2014年04月-継続中
応用物理学会応用電子物性分科会
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2009年12月-継続中
日本応用物理学会
研究経歴
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絶縁膜/GaN界面の電子準位
その他の研究制度
研究期間： 2010年04月 - 現在
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高Al組成AlGaNの表面特性
その他の研究制度
研究期間： 2008年12月 - 2010年03月
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中性子照射による炭素化合物の特性改良
その他の研究制度
研究期間： 2005年10月 - 2008年12月
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グラファイトの電気伝導に関する研究
その他の研究制度
研究期間： 1998年04月 - 2005年10月
論文
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Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films
Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
Applied Physics Express ( IOPscience ) 14 116503 2021年10月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer
PradipDalapati, KosukeYamamoto, ToshiharuKubo, TakashiEgawa, MakotoMiyoshi
Optik ( Elsevier ) 245 167691 2021年07月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator
Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi
Journal of Vacuum Science & Technology B 37 041205-1 - 041205-4 2019年07月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition
Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
Physica B 571 210 - 212 2019年07月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures
Debaleen Biswas, Naoki Torii, Hirotaka Fujita, Takahiro Yoshida, Toshiharu Kubo and Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 34 055014-1 - 055014-6 2019年04月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces
Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa and Mitsuaki Shimizu
Semiconductor science and Technology 34 025009-1 - 025009-7 2019年01月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
Jpn. J. Appl. Phys. 57 01AD04-1 - 01AD04-5 2017年12月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing
Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
Semiconductor Science and Technology 32 125016-1 - 125016-5 2017年11月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor
N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
Microelectronic Engineering 178 182 - 185 2017年06月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
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Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates
T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa
Semiconductor Science and Technology 32 065012-1 - 065012-5 2017年05月 [査読有り]
研究論文（学術雑誌） 共著
研究発表
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 (オンライン) 2021年11月 - 2021年11月 電子情報通信学会
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン) 2021年09月 - 2021年09月 日本応用物理学会
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Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ
久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン) 2021年03月 - 2021年03月 日本応用物理学会
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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II
高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第68回応用物理学会春季学術講演会 (オンライン) 2021年03月 - 2021年03月 日本応用物理学会
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Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD
Shunichi Yokoi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa
ISPlasma2021 (オンライン) 2021年03月 - 2021年03月 日本応用物理学会
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
電子情報通信学会11月研究会 (オンライン) 2020年11月 - 2020年11月 電子情報通信学会
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ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ
横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志
第81回応用物理学会秋季学術講演会 (オンライン) 2020年09月 - 2020年09月 日本応用物理学会
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ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止)) 2020年03月 - 2020年03月 日本応用物理学会
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転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果
小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
第67回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止)) 2020年03月 - 2020年03月 日本応用物理学会
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Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs
Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa
ISPlasma2020 (Nagoya University) 2020年03月 - 2020年03月 JSAP
工業所有権
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ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜
特願 2017－20109
座間秀昭, 小林忠正, 久保俊晴, 江川孝志
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グラフェンデバイスおよびその製造方法
特願 2015-212450
三好実人, 久保俊晴, 江川孝志
学術関係受賞
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ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award
2017年03月05日 ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee
受賞者： N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
その他競争的資金獲得実績
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Si基板上GaNパワーデバイスの性能を向上させるゲート構造用絶縁膜の開発
提供機関: 民間財団等 内藤科学技術振興財団 助成金
研究期間： 2020年06月 - 2021年03月
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極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製
提供機関: 民間財団等 村田財学術振興財団第35回学術助成金
研究期間： 2019年04月 - 2020年03月
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新しいグラフェン合成プロセスの開発とエネルギー利用効率化への展開
提供機関: 民間財団等 東燃ゼネラル石油研究奨励・奨学財団研究助成
研究期間： 2016年04月 - 2017年03月
エネルギーの効率的な利用に向け、計算機で消費される電力の削減のため、２次元物質であるグラフェンデバイスの普及に向けたデバイス開発を
行う。
受託研究受入実績
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低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発
提供機関: 一般受託研究
研究期間： 2017年04月 - 2020年03月 代表者: 江川孝志
共同研究実施実績
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GaN-HEMTを高出力化するゲート絶縁膜プロセス開発に関する共同研究
提供機関: 株式会社アルバック 国内共同研究
研究期間： 2016年04月 - 2017年03月
GaN-HEMTパワーデバイスの実現へ向け、良好な特性を有するゲート絶縁膜の開発をアルバックと共同して行う。
学会・委員会等活動
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2018年04月-現在
電子情報通信学会電子デバイス研究会 委員
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2016年10月-2018年11月
日本応用物理学会 IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員
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2016年10月-2017年11月
日本応用物理学会 IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員
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2014年04月-現在
応用物理学会応用電子物性分科会 幹事
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2010年11月-2011年03月
ISPlasma2011実行委員会 実行委員