久保 俊晴 (クボ トシハル)

KUBO Toshiharu

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

助教

 

論文

  • Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

    Microelectronic Engineering   178   182 - 185   2017年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates

    T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa

    Semiconductor Science and Technology   32   065012-1 - 065012-5   2017年05月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique

    M. Miyoshi, Y. Arima, T. Kubo, T. Egawa

    Appl. Phys. Lett.     2017年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Influence of AlN nucleation layer on vertical breakdown characteristics for GaN‐on‐Si

    J. J. Freedsman, A. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Kubo, T. Egawa

    physica status solidi (a)   213 ( 2 ) 424 - 428   2015年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors

    Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

    Applied Physics Letters     2015年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Effects of process temperature during atomic layer deposition using water and ozone as oxidants on current–voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates (共著)

    Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa

    Japanease Journal of Applied Physics   54   020301-1 - 020301-4   2015年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Normally-off AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with selectively dry-etched recessed gate and polarization-charge compensation δ-doped GaN cap layer (共著)

    Akio Wakejima, Akihiro Ando, Arata Watanabe, Keita Inoue, Toshiharu Kubo, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, and Takashi Egawa

    Applied Physics Express   8   026502-1 - 026502-4   2015年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Study on transfer-free graphene synthesis process utilizing spontaneous agglomeration of catalytic Ni and Co metals (共著)

    Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Tetsuo Soga

    Materials Research Express   2   015602-1 - 015602-8   2015年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Electrical properties of GaN-based metal–insulator–semiconductor structures with Al2O3 deposited by atomic layer deposition using water and ozone as the oxygen precursors (共著)

    Toshiharu Kubo, Joseph J Freedsman, Yasuhiro Iwata, and Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   29 ( 4 ) 045004-1 - 045004-6   2014年02月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Transfer-free graphene synthesis on insulating substrates via agglomeration phenomena of catalytic nickel films (共著)

    Kazuya Banno, Masaya Mizuno, Kazuhisa Fujita, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, and Tetsuo Soga

    Applied Physics Letters   103 ( 8 ) 082112-1 - 082112-4   2013年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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研究発表

  • GaN MOSキャパシタのC-V特性における周波数分散の理解

    田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡

    第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜, 神奈川)  2017年03月  -  2017年03月  日本応用物理学会

  • SiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値電圧に与えるAl2O3膜厚の効果

    久保俊晴, 座間秀昭, 小林忠正, 江川孝志

    第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  日本応用物理学会

  • Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作製

    有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志

    第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  日本応用物理学会

  • Impacts of oxidants for ALD process on Al2O3/GaN interface properties

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

    ISPlasma2017  (Chubu university)  2017年03月  -  2017年03月  The Japan Society of Applied Physics

  • Al2O3/GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの Al2O3形成温度依存性

    田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡

    第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会  (東レ研修センター, 静岡)  2017年01月  -  2017年01月  電子デバイス界面テクノロジー研究会

  • Large Surface Potential Fluctuation at ALD-Al2O3/GaN MOS Interfaces

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, and M. Shimizu

    SISC2016  (Sandiego)  2016年12月  -  2016年12月  IEEE

  • Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 and HfO2 fabricated by atomic layer deposition

    Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

    SISC2016  (San Diego)  2016年12月  -  2016年12月  IEEE

  • GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの絶縁膜形成 温度依存性

    田岡紀之、久保俊晴、山田寿一、江川孝志、清水三聡

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  (朱鷺メッセ、新潟)  2016年09月  -  2016年09月  日本応用物理学会

  • ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性における成膜温度依存性

    久保俊晴, 江川孝志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  (新潟コンベンションセンター)  2016年09月  -  2016年09月  応用物理学会

  • Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価

    有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  (新潟コンベンションセンター)  2016年09月  -  2016年09月  応用物理学会

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学術関係受賞

  • ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award

    2017年03月05日   ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee  

    受賞者:  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu