久保 俊晴 (クボ トシハル)

KUBO Toshiharu

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野
極微デバイス次世代材料研究センター

職名

准教授

出身大学

  • 1995年04月
    -
    1999年03月

    慶應義塾大学   理工学部   物理情報工学科   卒業

出身大学院

  • 1999年04月
    -
    2005年05月

    慶應義塾大学  理工学研究科  基礎理工学専攻博士課程  修了

取得学位

  • 慶應義塾大学 -  博士(工学)

学外略歴

  • 2008年12月
    -
    2010年03月

      北海道大学   量子集積エレクトロニクス研究センター   大学等非常勤研究員

  • 2005年10月
    -
    2008年12月

      東京大学   大学院工学系研究科   大学等非常勤研究員

所属学会・委員会

  • 2018年04月
    -
    継続中

    電子情報通信学会電子デバイス研究会

  • 2014年04月
    -
    継続中

    応用物理学会応用電子物性分科会

  • 2009年12月
    -
    継続中

    日本応用物理学会

専門分野(科研費分類)

  • 電子デバイス・電子機器

  • 電子・電気材料工学

  • 応用物性

取得資格

  • 高圧ガス製造保安責任者(化学機械・冷凍機械)

 

研究経歴

  • 絶縁膜/GaN界面の電子準位

    その他の研究制度  

    研究期間:  2010年04月  -  現在

  • 高Al組成AlGaNの表面特性

    その他の研究制度  

    研究期間:  2008年12月  -  2010年03月

  • 中性子照射による炭素化合物の特性改良

    その他の研究制度  

    研究期間:  2005年10月  -  2008年12月

  • グラファイトの電気伝導に関する研究

    その他の研究制度  

    研究期間:  1998年04月  -  2005年10月

論文

  • Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films

    Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

    Applied Physics Express ( IOPscience )  14   116503   2021年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer

    PradipDalapati, KosukeYamamoto, ToshiharuKubo, TakashiEgawa, MakotoMiyoshi

    Optik ( Elsevier )  245   167691   2021年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator

    Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Makoto Miyoshi

    Journal of Vacuum Science & Technology B   37   041205-1 - 041205-4   2019年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition

    Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

    Physica B   571   210 - 212   2019年07月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures

    Debaleen Biswas, Naoki Torii, Hirotaka Fujita, Takahiro Yoshida, Toshiharu Kubo and Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   34   055014-1 - 055014-6   2019年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces

    Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa and Mitsuaki Shimizu

    Semiconductor science and Technology   34   025009-1 - 025009-7   2019年01月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

    Jpn. J. Appl. Phys.   57   01AD04-1 - 01AD04-5   2017年12月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing

    Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   32   125016-1 - 125016-5   2017年11月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor

    N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

    Microelectronic Engineering   178   182 - 185   2017年06月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates

    T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa

    Semiconductor Science and Technology   32   065012-1 - 065012-5   2017年05月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

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研究発表

  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

    戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

    電子情報通信学会11月研究会  (オンライン)  2021年11月  -  2021年11月  電子情報通信学会

  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

    戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  (オンライン)  2021年09月  -  2021年09月  日本応用物理学会

  • Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ

    久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志

    第68回応用物理学会春季学術講演会  (オンライン)  2021年03月  -  2021年03月  日本応用物理学会

  • 転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II

    高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

    第68回応用物理学会春季学術講演会  (オンライン)  2021年03月  -  2021年03月  日本応用物理学会

  • Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD

    Shunichi Yokoi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

    ISPlasma2021  (オンライン)  2021年03月  -  2021年03月  日本応用物理学会

  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

    横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

    電子情報通信学会11月研究会  (オンライン)  2020年11月  -  2020年11月  電子情報通信学会

  • ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

    横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  (オンライン)  2020年09月  -  2020年09月  日本応用物理学会

  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

    横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

    第67回応用物理学会春季学術講演会  (上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止))  2020年03月  -  2020年03月  日本応用物理学会

  • 転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果

    小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

    第67回応用物理学会春季学術講演会  (上智大学 四谷キャンパス(コロナ禍のため中止))  2020年03月  -  2020年03月  日本応用物理学会

  • Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs

    Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa

    ISPlasma2020  (Nagoya University)  2020年03月  -  2020年03月  JSAP

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工業所有権

  • ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜

    特願 2017-20109 

    座間秀昭, 小林忠正, 久保俊晴, 江川孝志

  • グラフェンデバイスおよびその製造方法

    特願 2015-212450 

    三好実人, 久保俊晴, 江川孝志

学術関係受賞

  • ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award

    2017年03月05日   ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee  

    受賞者:  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

科研費(文科省・学振)獲得実績

  • 極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

    基盤研究(C)

    研究期間:  2019年04月  -  2022年03月 

その他競争的資金獲得実績

  • Si基板上GaNパワーデバイスの性能を向上させるゲート構造用絶縁膜の開発

    提供機関:  民間財団等  内藤科学技術振興財団 助成金

    研究期間:  2020年06月  -  2021年03月 

  • 極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製

    提供機関:  民間財団等  村田財学術振興財団第35回学術助成金

    研究期間:  2019年04月  -  2020年03月 

  • 新しいグラフェン合成プロセスの開発とエネルギー利用効率化への展開

    提供機関:  民間財団等  東燃ゼネラル石油研究奨励・奨学財団研究助成

    研究期間:  2016年04月  -  2017年03月 

    エネルギーの効率的な利用に向け、計算機で消費される電力の削減のため、2次元物質であるグラフェンデバイスの普及に向けたデバイス開発を
    行う。

受託研究受入実績

  • 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト/GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発

    提供機関:   一般受託研究

    研究期間: 2017年04月  -  2020年03月  代表者: 江川孝志

共同研究実施実績

  • GaN-HEMTを高出力化するゲート絶縁膜プロセス開発に関する共同研究

    提供機関: 株式会社アルバック  国内共同研究

    研究期間: 2016年04月  -  2017年03月 

    GaN-HEMTパワーデバイスの実現へ向け、良好な特性を有するゲート絶縁膜の開発をアルバックと共同して行う。

 

教育活動に関する受賞

  • 論文発表奨励賞

    2018年11月   電子情報通信学会電子デバイス研究会  

 

学会・委員会等活動

  • 2018年04月
    -
    現在

    電子情報通信学会電子デバイス研究会   委員

  • 2016年10月
    -
    2018年11月

    日本応用物理学会   IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員

  • 2016年10月
    -
    2017年11月

    日本応用物理学会   IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員

  • 2014年04月
    -
    現在

    応用物理学会応用電子物性分科会   幹事

  • 2010年11月
    -
    2011年03月

    ISPlasma2011実行委員会   実行委員

社会貢献活動

  • 計測分析に関する講演会

    あいち産業科学技術総合センター  (あいち産業科学技術総合センター本部 講習会室)  2016年12月  -  2016年12月