論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文

• Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties

  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

  Jpn. J. Appl. Phys.   57   01AD04-1 - 01AD04-5   2017年12月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing

  Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

  Semiconductor Science and Technology   32   125016-1 - 125016-5   2017年11月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor

  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

  Microelectronic Engineering   178   182 - 185   2017年06月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates

  T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa

  Semiconductor Science and Technology   32   065012-1 - 065012-5   2017年05月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique

  M. Miyoshi, Y. Arima, T. Kubo, T. Egawa

  Appl. Phys. Lett.     2017年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Influence of AlN nucleation layer on vertical breakdown characteristics for GaN‐on‐Si

  J. J. Freedsman, A. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Kubo, T. Egawa

  physica status solidi (a)   213 ( 2 ) 424 - 428   2015年11月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors

  Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

  Applied Physics Letters     2015年08月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Effects of process temperature during atomic layer deposition using water and ozone as oxidants on current–voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility　transistors on Si substrates (共著)

  Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, and Takashi Egawa

  Japanease Journal of Applied Physics   54   020301-1 - 020301-4   2015年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Normally-off AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with selectively dry-etched recessed gate and polarization-charge compensation δ-doped GaN cap layer (共著)

  Akio Wakejima, Akihiro Ando, Arata Watanabe, Keita Inoue, Toshiharu Kubo, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, and Takashi Egawa

  Applied Physics Express   8   026502-1 - 026502-4   2015年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

• Study on transfer-free graphene synthesis process utilizing spontaneous agglomeration of catalytic Ni and Co metals (共著)

  Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, and Tetsuo Soga

  Materials Research Express   2   015602-1 - 015602-8   2015年01月  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）   共著

  

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研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表

• ESR studies of layer thickness and post-deposition annealing effects on ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT structures

  T. Kubo, T. Egawa

  SISC 2017  (San Diego, USA)  2017年12月  -  2017年12月  IEEE

• Relationships between Al2O3/GaN Interface Properties near Conduction Band Edge and Post-Deposition Annealing Temperatures

  N. Taoka, T. Kobayashi, M. Nakamura, T. Sagawa, N. X. Truyen, A. Ohta, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, S. Miyazaki, S. Motoyama, M. Shimizu

  SISC 2017  (San Diego, USA)  2017年12月  -  2017年12月  IEEE

• ALD-Al2O3/GaN 構造における伝導帯端近傍の界面特性と熱処理温度の関係

  田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァン チュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮﨑誠一, 本山愼一, 清水三聡

  第78回応用物理学会秋季学術講演会  (福岡国際会議場)  2017年09月  -  2017年09月  日本応用物理学会

• 電子スピン共鳴によるAlGaN上Al2O3の化学状態評価

  久保俊晴, 江川孝志

  第78回応用物理学会秋季学術講演会  (福岡国際会議場)  2017年09月  -  2017年09月  日本応用物理学会

• GaN MOSキャパシタのC-V特性における周波数分散の理解

  田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡

  第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜, 神奈川)  2017年03月  -  2017年03月  日本応用物理学会

• SiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの閾値電圧に与えるAl2O3膜厚の効果

  久保俊晴, 座間秀昭, 小林忠正, 江川孝志

  第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  日本応用物理学会

• Niパターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上へのグラフェン膜の作製

  有馬幸記, 三好実人, 久保俊晴, 江川孝志

  第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月  日本応用物理学会

• Impacts of oxidants for ALD process on Al2O3/GaN interface properties

  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

  ISPlasma2017  (Chubu university)  2017年03月  -  2017年03月  The Japan Society of Applied Physics

• Al2O3/GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの Al2O3形成温度依存性

  田岡紀之, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 清水三聡

  第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会  (東レ研修センター, 静岡)  2017年01月  -  2017年01月  電子デバイス界面テクノロジー研究会

• Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 and HfO2 fabricated by atomic layer deposition

  Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

  SISC2016  (San Diego)  2016年12月  -  2016年12月  IEEE

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学術関係受賞 【 表示 ／ 非表示 】

学術関係受賞

• ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award

  2017年03月05日   ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee  

  受賞者：  N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu