分島 彰男 (ワケジマ アキオ)

WAKEJIMA Akio

写真a

所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

准教授

 

論文

  • Analysis of carrier trapping and emission in AlGaN/GaN HEMT with bias-controllable field plate

    Suguru Mase, Akio Wakejima and Takashi Egawa

    physica status solidi (a) ( Wiley )    2017年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • An AlGaN/GaN field effect diode with a high turn-on voltage controllability

    Naoki Kato, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itoh and Takashi Egawa

    physica status solidi (a)   214 ( 8 )   2017年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Distortion in Difference Frequency Under Two-Tone Signal Input Evaluated with Volterra Series Analysis

    K. Tamesue, T. Egawa, A. Wakejima

    Digest of 2016 Compound Semicondutor IC Symposium     2016年10月

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • Analysis of Carrier Trapping and Emission in AlGaN/GaN HEMT with Bias-Controllable Field Plate

    Suguru Mase, Akio Wakejima, Takashi

    Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors     2016年10月  [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • An AlGaN/GaN Field Effect Diode with a High Turn-On Voltage Controllability

    Naoki Kato, Takaya Nagai, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itou, Takashi Egawa

    Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors     2016年10月  [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

    Tomotaka Narita, Akio Wakejima, Takashi Egawa

    Applied Physics Express   9 ( 3 ) 031002   2016年02月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate

    Tomotaka Narita, Yuichi Fujimoto, Akio Wakejima,Takashi Egawa

    Semiconductor Science and Technology   31 ( 3 ) 035007   2016年02月

    研究論文(学術雑誌)   単著

  • Activation energy of frequency-dependent drain-conductance of AlGaN/GaN HEMT evaluated with low frequency S-parameters

    A. Wakejima, T. Narita, Y. Katayama, K. Tamesue, T. Egawa

    Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2015 IEEE 3rd Workshop on ( IEEE )    81 - 85   2015年11月  [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • High fT and fMAX for 100 nm unpassivated rectangular gate AlGaN/GaN HEMT on high resistive silicon (111) substrate

    P. D. Christy, Y. Katayama, A. Wakejima, T. Egawa

    Electronics Letters   51 ( 11 ) 1366 - 1368   2015年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Low ohmic-contact resistance in recessed-gate normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMT with δ-doped GaN Cap Layer

    A. Wakejima, A. Ando, A. Watanabe,K. Inoue,T. Kubo,T. Nagai, N. Kato, Y. Osada, R. Kamimura, T. Egawa

    2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) ( IEEE )    59 - 60   2015年06月  [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

全件表示 >>

研究発表

  • ミリ波による高速通信の拡大を牽引するSi基板上の窒化物半導体トランジスタの研究開発

    分島 彰男, 江川 孝志, 葛原 正明, 細谷 健一

    ICTイノベーションフォーラム2017  2017年10月  -  2017年10月 

  • AlGaN/GaN Field-Effect Diode for High Frequency Rectification

    Y.Ito, Y.Ikedo, N.Kato, J.Sumino, T.Egawa, R.Kamimura, Y.Osada, K.Ito, and A.Wakejima

    12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2017年08月  -  2017年08月 

  • Microwave Leakage through Buffer Layer of AlGaN/GaN HEMT on Si

    Y. Ikedo, Y. Ito, T.Egawa, M.Kuzuhara, K.Hosoya, and A. Wakejima

    12th International Conference on Nitride Semiconductors ...  2017年07月  -  2017年07月 

  • GaN 系 HEMT のノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング

    安藤彰浩,長田大和,上村隆一郎,分島彰男,江川孝志

    第 61 回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  -  2014年03月 

  • 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下の変動要因探査

    成田 知隆, 分島 彰男, 江川 孝志

    2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013年03月  -  2013年03月 

  • Si基板上のAlGaN/GaN HEMT技術

    分島 彰男,江川孝志

    電気学会電子デバイス研究会  2013年03月  -  2013年03月 

  • Estimation of bound interface density of AlInN/GaN hetero-structures

    O. Oda, A. Wakejima, M. Miyoshi, T. Egawa

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials  2013年01月  -  2013年02月 

  • Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価

    常家 卓也,分島 彰男,江川 孝志

    電子情報通信学会研究会  2012年11月  -  2012年11月 

  • Transition of High Electric Field of AlGaN/GaN HEMTs on Si observed by Photo Emission

    Akio Wakejima, A. Frank Wilson, Takuya Joka, and Takashi Egawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors  2012年10月  -  2012年10月 

  • Si基板上GaN系HEMTにおける紫外光照射時の過渡電流評価

    成田 知隆,間瀬 駿, 分島 彰男,江川 孝志

    2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  -  2012年09月 

全件表示 >>