分島 彰男 (ワケジマ アキオ)

WAKEJIMA Akio

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所属学科・専攻等

電気・機械工学教育類 電気電子分野
電気・機械工学専攻 電気電子分野

職名

准教授

 

論文

  • Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs

    Yuji Ando; Hidemasa Takahashi; Qiang Ma; Akio Wakejima; Jun Suda

    IEEE Transactions on Electron Devices     2020年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Polarization engineering via InAlN/AlGaN heterostructures for demonstration of normally-off AlGaN channel field effect transistors

    Lei Lia, Ryohei Yamaguchi, and Akio Wakejima

    Applied Physics Letters ( AIP )  117 ( 15 ) 152108   2020年10月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate

    Qiang Ma, Tomoyo Yoshida, Yuji Ando and Akio Wakejima

    Japanese Journal of Applied Physics ( JJAP )  59 ( 10 ) 101002   2020年09月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Elimination of the Low Resistivity of Si Substrates in GaN HEMTs by Introducing a SiC Intermediate and a Thick Nitride Layer

    Arijit Bose, Debaleen Biswas, Shigeomi Hishiki, Sumito Ouchi, Koichi Kitahara, Keisuke Kawamura, Akio Wakejima

    IEEE Electron Device Letters ( IEEE )  41 ( 10 ) 1480 - 1483   2020年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Bonding GaN on high thermal conductivity graphite composite with adequate interfacial thermal conductance for high power electronics applications

    Lei Lia, Aozora Fukui, and Akio Wakejima

    Applied Physics Letters ( AIP )  116 ( 14 ) 142105   2020年04月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Analysis of carrier trapping and emission in AlGaN/GaN HEMT with bias-controllable field plate

    Suguru Mase, Akio Wakejima and Takashi Egawa

    physica status solidi (a) ( Wiley )    2017年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • An AlGaN/GaN field effect diode with a high turn-on voltage controllability

    Naoki Kato, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itoh and Takashi Egawa

    physica status solidi (a)   214 ( 8 )   2017年08月  [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)   共著

  • Distortion in Difference Frequency Under Two-Tone Signal Input Evaluated with Volterra Series Analysis

    K. Tamesue, T. Egawa, A. Wakejima

    Digest of 2016 Compound Semicondutor IC Symposium     2016年10月

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • Analysis of Carrier Trapping and Emission in AlGaN/GaN HEMT with Bias-Controllable Field Plate

    Suguru Mase, Akio Wakejima, Takashi

    Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors     2016年10月  [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

  • An AlGaN/GaN Field Effect Diode with a High Turn-On Voltage Controllability

    Naoki Kato, Takaya Nagai, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itou, Takashi Egawa

    Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors     2016年10月  [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著

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研究発表

  • GaN系HEMTを用いたマイクロ波無線電力伝送整流用ダイオード

    分島 彰男  [招待有り]

    MWE2020  2020年11月  -  2020年12月 

  • Gated-Anode GaN HEMT Based Diode for Microwave Wireless Power Transfer

    Akio Wakejima

    Wireless Power Week 2020  2020年11月  -  2020年11月 

  • 「窒化ガリウム(GaN)により実現可能域にきたマイクロ波電力伝送」

    分島 彰男  [招待有り]

    第12回アカデミックナイト  2020年11月  -  2020年11月 

  • Effect of Thick Nitride Layer on The RF Performance in GaN HEMTs on 3C-SiC/Si

    Arijit Bose, Debaleen Biswas, Shigeomi Hishiki, Sumito Ouchi, Koichi Kitahara, Keisuke Kawamura, Akio Wakejima

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials  2020年09月  -  2020年09月 

  • GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性

    高橋 英匡、安藤 裕二、山口 椋平、分島 彰男、須田 淳

    81回応用物理学会学術講演会  2020年09月  -  2020年09月 

  • GaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性

    高橋 英匡、安藤 裕二、山口 椋平、分島 彰男、須田 淳

    67回ぉうよう物理学会春季学術講演会  2020年03月  -  2020年03月 

  • Effect of High Temperature on Electron Trapping Behavior of GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

    Qiang Ma、Yuji Ando、Akio Wakejima

    67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月  -  2020年03月 

  • ミリ波による高速通信の拡大を牽引するSi基板上の窒化物半導体トランジスタの研究開発

    分島 彰男, 江川 孝志, 葛原 正明, 細谷 健一

    ICTイノベーションフォーラム2017  2017年10月  -  2017年10月 

  • AlGaN/GaN Field-Effect Diode for High Frequency Rectification

    Y.Ito, Y.Ikedo, N.Kato, J.Sumino, T.Egawa, R.Kamimura, Y.Osada, K.Ito, and A.Wakejima

    12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2017年08月  -  2017年08月 

  • Microwave Leakage through Buffer Layer of AlGaN/GaN HEMT on Si

    Y. Ikedo, Y. Ito, T.Egawa, M.Kuzuhara, K.Hosoya, and A. Wakejima

    12th International Conference on Nitride Semiconductors ...  2017年07月  -  2017年07月 

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